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发明名称
奈米碳管为基柱之半导体敏化太阳电池制备方法
摘要
一种奈米碳管为基柱之半导体敏化太阳电池制备方法,先将导电基板表面镀上薄膜层,利用电浆增强式化学气相沉积法或印刷法于薄膜层表面沉积或印刷奈米碳管结构层,再利用化学气相沉积法沉积半导体材料于每一奈米碳管上,接着利用离子溅镀法或电子枪蒸镀法于已沉积半导体材料之奈米碳管结构层镀上透明导电薄膜层,最后外加电压源,其两端分别与透明导电薄膜层及导电基板连接,进而完成奈米碳管为基柱之半导体敏化太阳电池之制备。
申请公布号
TW200802911
申请公布日期
2008.01.01
申请号
TW095119485
申请日期
2006.06.02
申请人
行政院原子能委员会 核能研究所
发明人
杨村农;篮山明;陈盈汝;江金镇;马维扬;古建德
分类号
H01L31/105(2006.01);H01L31/102(2006.01)
主分类号
H01L31/105(2006.01)
代理机构
代理人
欧奉璋
主权项
地址
桃园县龙潭乡佳安村文化路1000号
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