发明名称 具铜导线结构之薄膜电晶体及其制造方法
摘要 一种具铜导线结构之薄膜电晶体及其制造方法,系利用至少一铜合金层及一铜金属层来组成多层金属结构的闸极,在热处理后,可以改善晶格介面间的原子排列,及原子间的键结(即提升附着度),并降低阻值,抑制铜离子扩散,使薄膜电晶体电性传导效率更好。此外,将多层金属薄层图形化时,仅需要单层铜蚀刻液,以简化导线的图形化制程,且在结构上仅使用铜合金的薄层,更可降低制作薄膜电晶体的成本。
申请公布号 TW200802874 申请公布日期 2008.01.01
申请号 TW095119297 申请日期 2006.06.01
申请人 中国台湾台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会;中华映管股份有限公司 CHUNGHWA PICTURE TUBES, LTD. 桃园县八德市和平路1127号;友达光电股份有限公司 AU OPTRONICS CORP. 新竹市新竹科学园区力行二路1号;广辉电子股份有限公司 QUANTA DISPLAY INC. 桃园县龟山乡华亚二路189号;瀚宇彩晶股份有限公司 HANNSTAR DISPLAY CORP. 台北市松山区民生东路3段115号5楼;奇美电子股份有限公司 CHI MEI OPTOELECTRONICS CORP. 台南县新市乡台南科学工业园区奇业路1号;财团法人工业技术研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCHINSTITUTE 新竹县竹东镇中兴路4段195号;统宝光电股份有限公司 TOPPOLY OPTOELECTRONICS CORP. 苗栗县竹南镇科学园区科中路12号 发明人 吴健为;梁硕玮;陈琬琪;杨承慈;刘思呈;王敏全;官永佳
分类号 H01L29/786(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/336(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 代理人 王云平
主权项
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号15馆282室