发明名称 促进裸晶片电路之方法及其结构
摘要 本发明揭示一种促进裸晶片电路之方法及其结构。该方法包括提供具有一第一裸晶片(12)与一划线栅格(16)之一晶圆(10),其中该第一裸晶片具有裸晶片电路(28)与一电连接至该裸晶片电路之焊垫(20),而其中该划线栅格具有一电连接至该裸晶片电路之划线栅格接点(18)。该方法进一步包括接达该划线栅格以促进该裸晶片电路。一晶圆包括一第一裸晶片(12)。该第一裸晶片包括裸晶片电路(28)、复数个导电层(30)及一经由该复数个导电层之至少一导电层电连接至该裸晶片电路之焊垫。该晶圆包括具有一划线栅格接点之一划线栅格(16)与将该划线栅格接点(18)电连接至该裸晶片电路之一互连件。因此可以分割该晶圆之该复数个裸晶片,并可以封装所分割裸晶片之至少一裸晶片。
申请公布号 TW200802665 申请公布日期 2008.01.01
申请号 TW096111850 申请日期 2007.04.03
申请人 飞思卡尔半导体公司 发明人 穆罕默德K 拉旭德;莫泊M 拉谢德;史考特S 罗斯
分类号 H01L21/66(2006.01);H01L21/304(2006.01) 主分类号 H01L21/66(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国