发明名称 蚀刻式奈米鳍状电晶体
摘要 本标的物之一观点系有关于一种形成电晶体的方法。根据一实施例,从一结晶基材形成一鳍状物。在该基材内该鳍状物下方形成一第一源极/汲极区。在该鳍状物周围形成一环绕闸极绝缘层。在该鳍状物周围形成一环绕闸极,并且该环绕闸极藉由该环绕闸极绝缘层与该鳍状物隔离。在该鳍状物顶部内形成一第二源极/汲极区。若干实施例在该基材上之一层内蚀刻一孔洞,在该孔洞内形成侧壁间隙壁,从该等侧壁间隙壁形成一鳍状物图案,并且利用与该鳍状物图案相应的光罩蚀刻进入该结晶基材以从该基材形成该鳍状物。在此也提供其他观点。
申请公布号 TW200802617 申请公布日期 2008.01.01
申请号 TW096112125 申请日期 2007.04.04
申请人 微米科技股份有限公司 发明人 福比斯李奥纳德
分类号 H01L21/335(2006.01);H01L29/772(2006.01) 主分类号 H01L21/335(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财;李世章
主权项
地址 美国