非挥发性记忆胞结构、混合型非挥发性记忆胞阵列结构以及操作方法

摘要

一种非挥发性记忆胞结构、混合型非挥发性记忆胞阵列结构以及程式化方法，在混合型非挥发性记忆胞阵列结构中，每一非挥发性记忆胞至少具有一空乏型记忆胞。其中此空乏型记忆胞是以一闸极结构与一掺杂区组成。由于掺杂区的厚度相对较薄，因此藉由在闸极结构上外加一电压以转换闸极结构下方的掺杂区之导电性，并且同时在掺杂区之两端外加一偏压以控制此空乏型记忆胞之操作。此外，混合型非挥发性记忆胞阵列的每一非挥发性记忆胞还包括一加强型记忆胞，因此每一非挥发性记忆胞至少提供四个载子储存位置，而提高单位记忆元件之储存位元数。