| 摘要 |
本标的物之一观点系有关于一种形成电晶体的方法。根据一实施例，在一结晶基材上形成非晶半导体材料的一鳍状物，并且使用该结晶基材做为结晶成长的晶种来执行固相磊晶（solid phase epitaxy, SPE）制程以结晶化该非晶半导体材料。该鳍状物在至少一方向上的剖面厚度系小于一最小特征尺寸。该电晶体主体系形成在该结晶化半导体柱内而介于一第一源极／汲极区和一第二源极／汲极区之间。一环绕闸极绝缘层形成在该半导体柱周围，并且一环绕闸极形成在该半导体柱周围并藉由该环绕闸极绝缘层与该半导体柱隔离。在此也提供其他观点。 |
