具有百分之百或更大阶梯覆盖率之互连金属化制造方法

摘要

本发明提供一种互连结构，以及一种制造此互连结构之方法，其中该互连结构在一特征之侧壁上之障壁材料覆盖层的厚度大于该障壁材料在该特征底部上的厚度。与其中藉由知PVD制造方法、知离子化电浆沈积、CVD或ALD形成障壁材料之先前技术的互连结构相比，本发明之互连结构对半导体工业具有改良的技术可扩展性。根据本发明，提供一种互连结构，其在特征侧壁上具有大于在特征底部上之障壁材料厚度（ht）的障壁材料厚度（wt）。亦即，在本发明性互连结构中，wt╱ht比率等于或大于100％。