发明名称 形成电沉积接触的结构与方法
摘要 一种接触治金结构,包含:一图案化介电层,其具有洞,位于一基板上;例如钴及╱或镍之矽化物或锗化物层位于洞之底部;一接触层,包含Ti或Ti╱TiN,位于介电层之顶部且在洞内与洞底部之矽化物或锗化物层接触;一扩散阻挡层,位于接触层之顶部及洞内;选择性地一晶种层,电镀于阻挡层之顶部;一金属填料层,位于介层内,并且提供一制造方法。金属填料层包括系选自由电镀沉积之铜、铑、钌、铱、钼、金、银、镍、钴、镉与锌及其合金组成之群组中之至少一个。当金属填料层系铑、钌或铱时,则在填料金属和介电层间不需要有效的扩散阻挡层。当阻挡层系可电镀的,例如钌、铑、铂或铱,则不需要晶种层。
申请公布号 TW200802706 申请公布日期 2008.01.01
申请号 TW096107842 申请日期 2007.03.07
申请人 万国商业机器公司 发明人 赛瑞尔 加伯瑞尔 二世;哈里克亚 戴林恩伊;蓝道夫 F. 克那;珊卓拉 G. 玛霍特拉;史蒂芬 罗斯纳吉尔;萧夏杨;安娜 托普尔;飞利浦 M. 佛瑞肯
分类号 H01L21/768(2006.01);H01L21/3205(2006.01) 主分类号 H01L21/768(2006.01)
代理机构 代理人 蔡玉玲
主权项
地址 美国