发明名称 快闪记忆体装置中漏电流及程式化干扰之减少
摘要 一种依照本发明之范例实施例配置之快闪记忆体系统(300)使用虚拟接地阵列架构(302)。于程式化操作期间,用负基板偏压来偏压目标记忆体单元(706),以减少或消除漏电流,否则该漏电流可能传导通过该目标记忆体单元(706)。该负基板偏压亦藉由在位元线(BL2)下方将空乏区(714)延伸得更深而减少于邻接目标单元之单元(708)中之程式化干扰的发生,该位元线(BL2)对应于目标装置之汲极。该负基板偏压于验证操作(程式化验证、软程式化验证、抹除验证)期间亦可施加于目标记忆体单元(706),以减少或消除漏电流,否则该漏电流于验证操作期间可能引出错误。
申请公布号 TW200802383 申请公布日期 2008.01.01
申请号 TW096111975 申请日期 2007.04.04
申请人 史班逊有限公司 发明人 张国栋;史凯特 提牳思
分类号 G11C16/04(2006.01);H01L27/115(2006.01) 主分类号 G11C16/04(2006.01)
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 美国