闸极控制场发射三极元件及该元件之制作方法

摘要

本发明关于低温下制备具有高长宽比之氧化锌奈米棒之方法，其可与半导体制程进行整合，可获得一具有闸极控制之三极场发射元件。该方法主要包括：提供一具有经过定义元件区域之半导体基板；于该经过定义元件区域上分别沉积一介电层及一导电层；于该介电层及导电层上定义出发射体阵列所在位置；以水热法成长氧化锌奈米棒于该发射体阵列；及以湿蚀刻法除去非发射体阵列所在位置之部分而获得闸极控制场发射三极元件。