| 主权项 |
1.一种方法,其系用以制备化学式为: 之N4-醯基-5'-去氧-5-氟胞化合物,该方法包括: (a)在足以产生经第一矽烷基化之化合物的条件下, 于酸触媒存在下,将化学式为: 之5-氟胞嘧啶与第一矽烷基化试剂混合; (b)在足以产生经偶合产物的条件下,将该经第一矽 烷基化之化合物与化学式为: 之-2,3-双保护-5-去氧喃糖混合; (c)将该经偶合产物与第二矽烷基化试剂混合,以产 生经第二矽烷基化产物; (d)使用化学式为: X-C(=O)-R2 之醯基化试剂将该经第二矽烷基化产物醯基化,以 产生经醯基化产物;及 (e)在足以产生式I的N4-醯基-5'-去氧-5-氟胞化合 物的条件下,选择性地去除以共价键连接的矽烷部 分和羟基保护基团(R3),其中 X为醯基活性基团; Y为脱离去基团; R2为烷基、环烷基、芳烷基、芳基或烷氧基;及 R3为羟基保护基团。 2.如请求项1之方法,其中该第一矽烷基化试剂为六 甲基二矽氮烷。 3.如请求项2之方法,其中步骤(a)中所用之第一矽烷 基化试剂含量范围为相对5-氟胞嘧啶含量之约0.60 莫耳当量至约0.70莫耳当量。 4.如请求项3之方法,其中步骤(a)中所用之第一矽烷 基化试剂含量为相对5-氟胞嘧啶含量之约0.65莫耳 当量。 5.如请求项1之方法,其中该偶合步骤(b)会导致形成 约2%或更少之-变旋异构物偶合产物。 6.如请求项5之方法,其中该酸触媒为三氟甲烷磺酸 。 7.如请求项6之方法,其中该偶合步骤(b)所用之酸触 媒含量范围为相对5-氟胞嘧啶之约0.35莫耳当量至 约0.65莫耳当量。 8.如请求项1之方法,其中产生经偶合产物之步骤(b) 的反应温度范围约45℃至约55℃。 9.如请求项8之方法,其中产生经偶合产物之步骤(b) 的反应温度约50℃。 10.如请求项1之方法,其中步骤(c)中之第二矽烷基 化试剂为六甲基二矽氮烷。 11.如请求项10之方法,其中步骤(c)中所用之第二矽 烷基化试剂含量范围为相对5-氟胞嘧啶含量之约0. 35莫耳当量至约0.45莫耳当量。 12.如请求项1之方法,其中R3为乙醯基。 13.如请求项12之方法,其中该选择性去除羟基保护 基团之步骤(e)包括在足以产生式I的N4-醯基-5'-去 氧-5-氟胞化合物的条件下,将该经第二矽烷基化 产物与硷混合。 14.如请求项13之方法,其中该硷为烷氧化物或氢氧 化物。 15.如请求项1之方法,其中该式III之2,3-双保护-5-去 氧喃糖为-变旋异构物。 16.一种化合物,其化学式为: 其中 R1为乙醯基; Z为三甲基矽烷;及 R2为戊氧基。 17.一种方法,其系用于制备化学式为: 之N4-醯基-5'-去氧-5-氟胞化合物,其包括:在足以 选择性去除三烷基矽烷基(Z)和羟基保护基团(R1)之 条件下,将至少一种如请求项16之化合物与一硷混 合,以制备式I之N4-醯基-5'-去氧-5-氟胞化合物,其 中R2如请求项16所定义之基团。 18.一种方法,其系用于制备化学式为: 之N4-醯基-5'-去氧-5-氟胞化合物,该方法包括: (a)在一足以产生化学式为: 之经矽烷基化化合物及经醯基化化合物或其混合 物的条件下,将包含具有化学式为: 之5-氟胞化合物或其混合物之反应混合物依序 与矽烷基化试剂及化学式为: X-C(=O)-R2 之醯基化试剂混合; 及 (b)在足以产生该式I之N4-醯基-5'-去氧-5-氟胞化 合物之条件下,选择性去除该经矽烷基化化合物和 经醯基化化合物上之矽烷基团和羟基保护基团,其 中 R1为乙醯基; R2为戊氧基; X为醯基活性基团; Z为三甲基矽烷。 19.如请求项18之方法,其中矽烷基化试剂为六甲基 二矽氮烷。 20.如请求项19之方法,其中步骤(a)中所用之矽烷基 化试剂含量范围为相对5-氟胞嘧啶化合物含量之 约0.35莫耳当量至约0.45莫耳当量。 21.如请求项18之方法,其中该方法包括乙作为反 应溶剂。 22.如请求项18之方法,其中去除矽烷基与羟基保护 基之步骤包括甲苯作为溶剂。 |
