| 主权项 |
1.一种焊接端具金属壁之半导体晶片封装结构之 制造方法,系至少包括: a、提供一金属基板、一绕线、一金属壁及一焊接 层,其中该金属基板系包含相对应之第一平面及第 二平面,该金属基板之第一平面系朝向第一方向上 ,该金属基板之第二平面系朝向第二方向上,而该 第二方向与第一方向相反,该金属壁系由该金属基 板之第二平面往其第一平面延伸至该金属基板内, 而该金属壁系包含一孔洞,该孔洞系由该金属基板 之第二平面往其第一平面延伸至该金属基板内,并 包含一朝向第二方向之开口,该焊接层系与该孔洞 内之金属壁接触; b、机械地连接一半导体晶片至该绕线,其中该半 导体晶片系包括一导电脚位; c、形成一连接部,该连接部系可与该绕线及导电 脚位具电力地连接; d、利用湿式化学蚀刻对该金属基板蚀刻,因此减 少该金属基板与绕线间及该金属基板与金属壁间 之接触区域;以及 e、提供一焊接端,该焊接端系与该孔洞内之金属 壁接触,并包含该焊接层。 2.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该绕线 之形成方式系可将该绕线沈积于该金属基板上。 3.依据申请专利范围第2项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该绕线 之形成方式系可包括形成一电镀遮罩于该金属基 板上,其中该电镀遮罩系包含一开口,该开口系使 一部份之金属基板暴露;以及将该绕线电镀于该金 属基板之暴露部份并穿过该电镀遮罩之开口。 4.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金属 壁之形成方式系使该金属壁沈积于该金属基板上 。 5.依据申请专利范围第4项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金属 壁之形成方式系包括形成一电镀遮罩于该金属基 板上,其中该电镀遮罩系包含一开口,该开口系使 一部份之金属基板暴露;以及将该金属壁电镀于该 金属基板之暴露部份,并穿过该电镀遮罩之开口。 6.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金属 壁之形成方式系包括蚀刻该金属基板形成一导通 孔,该导通孔系由该金属基板之第二方向往其第一 方向延伸至该金属基板内;以及使该金属壁沈积于 该导通孔内。 7.依据申请专利范围第6项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该导通 孔系为一穿孔,系延伸至该金属基板内并穿透,使 该绕线暴露;以及该金属壁延伸至该金属基板内并 穿透,且与该绕线接触。 8.依据申请专利范围第7项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金属 基板被蚀刻穿透系使该金属基板与绕线间及该金 属基板与金属壁间之接触区域被去除。 9.依据申请专利范围第6项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该导通 孔系为一凹口,该凹口系延伸至该金属基板内但未 穿透,并与该金属基板之第一平面及绕线隔离;以 及该金属壁系延伸至该金属基板内但未穿透,并与 该金属基板之第一平面及绕线隔离。 10.依据申请专利范围第9项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金属 基板被蚀刻系从该金属基板之未蚀刻部份形成一 金属柱,该金属基板之未蚀刻部份系藉由该金属壁 定义,该金属柱系与该绕线及该金属壁接触。 11.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊接 层之形成方式系包括使该焊接层沈积于该金属壁 上。 12.依据申请专利范围第11项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊 接层之形成方式系包括该焊接层只与该金属壁接 触。 13.依据申请专利范围第11项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊 接层之形成方式系包括使一锡膏沈积于该金属壁 上,以及使该锡膏回流。 14.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊接 端系为该焊接层。 15.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊接 端之形成方式系包括使一焊锡材料沈积于该焊接 层上,以及使该焊锡材料与焊接层一起回流。 16.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊接 端之形成方法系至少包括下列步骤并依照顺序: a、使该锡膏沈积于该金属壁上; b、使该锡膏回流,因此形成该焊接端; c、使一焊锡材料沈积于该焊接层上;以及 d、使该焊锡材料及焊接层一起回流,因此形成该 焊接端。 17.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金属 壁及焊接层之形成方法系至少包括下列步骤并依 照顺序: a、蚀刻该金属基板形成一导通孔; b、使该金属壁沈积于该金属基板上,并进入该导 通孔内;以及 c、使该焊接层沈积于该金属壁上。 18.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金属 壁及焊接层之形成方法系至少包括下列步骤并依 照顺序: a、蚀刻该金属基板并穿过一蚀刻遮罩之开口,因 此形成一导通孔; b、使该金属壁电镀于该金属基板之暴露部份,并 穿过一电镀遮罩之开口进入该导通孔内; c、使一锡膏沈积于该金属壁上;以及 d、使该锡膏回流,因此形成该焊接层。 19.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金属 壁及焊接层之形成方法系至少包括下列步骤并依 照顺序: a、蚀刻该金属基板形成一导通孔; b、使该金属壁电镀于该金属基板之暴露部份,并 穿过一电镀遮罩之开口进入该导通孔内; c、使一锡膏沈积于该金属壁上;以及 d、使该锡膏回流,因此形成该焊接层。 20.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金属 壁及焊接层之形成方法系至少包括下列步骤并依 照顺序: a、形成一遮罩于该金属基板,其中该遮罩系包含 一开口,使一部份之金属基板暴露; b、蚀刻该金属基板并穿过该遮罩之开口,因此形 成一导通孔; c、使该金属壁电镀于该金属基板之暴露部份,并 穿过该遮罩之开口进入该导通孔内; d、使一锡膏沈积于该金属壁上;以及 e、使该锡膏回流,因此形成该焊接层。 21.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金属 壁及焊接层之形成方法系至少包括下列步骤并依 照顺序: a、形成一蚀刻遮罩于该金属基板,其中该蚀刻遮 罩系包含一开口,使一部份之金属基板暴露; b、蚀刻该金属基板并穿过该蚀刻遮罩之开口,因 此形成一导通孔; c、形成一电镀遮罩于该金属基板上,其中该电镀 遮罩系包含一开口,使一部份之金属基板及该导通 孔暴露; d、使该金属壁电镀于该金属基板之暴露部份,并 穿过该电镀遮罩之开口进入该导通孔内; e、使一锡膏沈积于该金属壁上;以及 f、使该锡膏回流,因此形成该焊接层。 22.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该半导 体晶片与绕线连接之方式系可包括将一黏着剂置 放于该半导体晶片与金属基板间,然后使该黏着剂 硬化。 23.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该连接 部形成之方式系可包括将该连接部电镀于该绕线 与导电脚位间。 24.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该连接 部形成之方式系可包括利用无电电镀将该连接部 镀于该绕线与导电脚位间。 25.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该连接 部形成之方式系可包括使一非固态材料(non- solidified material)沈积于该绕线及导电脚位间,并使 该非固态材料硬化。 26.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该连接 部形成之方式系可包括提供一打线(wire bond)于该 绕线与导电脚位间。 27.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金属 基板系利用该湿式化学蚀刻进行蚀刻,使该绕线暴 露。 28.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金属 基板系利用该湿式化学蚀刻进行蚀刻,移除大部份 之金属基板。 29.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金属 基板系利用该湿式化学蚀刻进行蚀刻,移除于该导 电脚位边缘内之金属基板。 30.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金属 基板系利用该湿式化学蚀刻进行蚀刻,移除于该半 导体晶片边缘内之金属基板。 31.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金属 基板系利用该湿式化学蚀刻进行蚀刻,使该金属基 板与绕线间及该金属基板与金属壁间之接触区域 减少但未完全去除。 32.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金属 基板系利用该湿式化学蚀刻进行蚀刻,从该金属基 板之未蚀刻部份形成一金属柱,该金属基板之未蚀 刻部份系藉由该金属壁定义,该金属柱系使该绕线 与金属壁具电力地连接。 33.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金属 基板系利用该湿式化学蚀刻进行蚀刻,使该金属基 板与绕线间及该金属基板与金属壁间之接触区域 完全去除。 34.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金属 基板系利用该湿式化学蚀刻进行蚀刻,并移除该金 属基板。 35.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金属 基板系利用该湿式化学蚀刻进行蚀刻,并使该绕线 与其它与金属基板接触之绕线具电力地隔离。 36.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金属 基板系利用该湿式化学蚀刻进行蚀刻,使该导电脚 位与其它于半导体晶片上之导电脚位具电力地隔 离。 37.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金属 壁系可于该焊接层形成前形成。 38.依据申请专利范围第37项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属壁形成前系可形成该绕线。 39.依据申请专利范围第37项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属壁形成后系可形成该绕线。 40.依据申请专利范围第37项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属壁系可同时地与该绕线形成。 41.依据申请专利范围第37项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属壁系可于连接该半导体晶片至该金属基板及绕 线前形成。 42.依据申请专利范围第37项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属壁系可于连接该半导体晶片至该金属基板及绕 线后形成。 43.依据申请专利范围第37项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊 接层系可于连接该半导体晶片至该金属基板及绕 线前形成。 44.依据申请专利范围第37项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊 接层系可于连接该半导体晶片至该金属基板及绕 线后形成。 45.依据申请专利范围第37项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊 接层系可于该焊接端形成前形成。 46.依据申请专利范围第37项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊 接层系可直接形成该焊接端。 47.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该连接 部系可于该金属基板利用湿式化学蚀刻进行蚀刻 前形成。 48.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该连接 部系可于该金属基板利用湿式化学蚀刻进行蚀刻 后形成。 49.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊接 端系可于连接该半导体晶片至该金属基板及绕线 前形成。 50.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊接 端系可于连接该半导体晶片至该金属基板及绕线 后形成。 51.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊接 端系可于该连接部形成前形成。 52.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊接 端系可于该连接部形成后形成。 53.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊接 端系可于该金属基板利用湿式化学蚀刻进行蚀刻 前形成。 54.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊接 端系可于该金属基板利用湿式化学蚀刻进行蚀刻 后形成。 55.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,进一步 包含形成该金属壁,接着形成该焊接层,然后连接 该半导体晶片至该金属基板、绕线、金属壁及焊 接层,以及利用湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀 刻。 56.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,进一步 包含形成该金属壁,接着连接该半导体晶片至该金 属基板、绕线及金属壁,然后形成该焊接层,以及 利用湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻。 57.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,进一步 包含连接该半导体晶片至该金属基板及绕线,接着 形成该金属壁,然后形成该焊接层,以及利用湿式 化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻。 58.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,进一步 包含形成一密封剂,该密封剂系于连接该半导体晶 片至该绕线后覆盖该半导体晶片于第一方向上。 59.依据申请专利范围第58项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该密 封剂被形成后系进一步形成一绝缘基板,并覆盖该 金属壁及焊接层于第二方向上,然后移除一部份之 绝缘基板使该绝缘基板无法覆盖该焊接层于第二 方向上。 60.依据申请专利范围第1项所述之焊接端具金属壁 之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该半导 体晶片封装结构系为第一层次封装。 61.一种焊接端具金属壁之半导体晶片封装结构之 制造方法,系至少包括: a、提供一包含相对应之第一平面及第二平面之金 属基板,其中该金属基板之第一平面系朝向第一方 向,该金属基板之第二平面系朝向第二方向,而该 第二方向与第一方向相反; b、形成一绕线于金属基板之第一平面上,其中该 绕线系与该金属基板之第一平面接触,并与该金属 基板之第二平面隔离; c、利用第一湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻 ,因此于该金属基板内形成一导通孔,该导通孔系 由该金属基板之第二平面往其第一平面延伸至该 金属基板内; d、形成一金属壁于该金属基板上,其中,该金属壁 系与该导通孔内之金属基板接触,该金属壁系由该 金属基板之第二平面往其第一平面延伸至该金属 基板内,而该金属壁系包含一孔洞,该孔洞系由该 金属基板之第二平面往其第一平面延伸至该金属 基板内,并被该金属壁覆盖于第一方向上,且包含 一朝向第二方向之开口; e、形成一焊接层,该焊接层系与该孔洞内之金属 壁接触,并与该绕线隔离; f、机械地连接一半导体晶片至该金属基板及绕线 ,其中该半导体晶片系包括一导电脚位; g、形成一连接部,该连接部系可与该绕线及导电 脚位具电力地连接; h、于连接该半导体晶片至该金属基板及绕线及形 成该金属壁及焊接层后,利用第二湿式化学蚀刻对 该金属基板蚀刻,因此减少该金属基板与绕线间及 该金属基板与金属壁间之接触区域;以及 i、提供一焊接端,该焊接端系与该孔洞内之金属 壁接触,并包含该焊接层。 62.依据申请专利范围第61项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该绕 线之形成方式系可包括形成一电镀遮罩于该金属 基板上,其中该电镀遮罩系包含一开口,该开口系 使一部份之金属基板暴露;以及穿过该电镀遮罩之 开口将该绕线电镀于该金属基板之暴露部份。 63.依据申请专利范围第61项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属壁及焊接层之形成方法系至少包括下列步骤并 依照顺序: a、穿过一电镀遮罩之开口将该金属壁电镀于该金 属基板上,并进入该导通孔; b、使一锡膏沈积于该金属壁上;以及 c、使该锡膏回流,因此形成该焊接层。 64.依据申请专利范围第61项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊 接端系为该焊接层。 65.依据申请专利范围第61项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊 接端形成之方式系可包括于利用第二湿式化学蚀 刻对该金属基板进行蚀刻后,使一焊锡材料沈积于 该焊接层上,然后使该焊锡材料及焊接层一起回流 ,形成该焊接端。 66.依据申请专利范围第61项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该半 导体晶片与金属基板及绕线连接之方式系可包括 将一黏着剂置放于该半导体晶片与金属基板间,然 后使该黏着剂硬化。 67.依据申请专利范围第61项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该连 接部形成之方式系可包括提供一打线(wire bond)于 该绕线与导电脚位间。 68.依据申请专利范围第61项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻,使该 绕线暴露。 69.依据申请专利范围第68项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用该第一湿式化学蚀刻进行蚀刻形成 该导通孔,该导通孔系为一穿孔并延伸穿透该金属 基板,使该绕线暴露;以及该金属基板系利用第二 湿式化学蚀刻进行蚀刻,去除该金属基板与绕线间 及该金属基板与金属壁间之接触区域。 70.依据申请专利范围第61项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻,移除 该金属基板。 71.依据申请专利范围第68项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用该第一湿式化学蚀刻进行蚀刻形成 该导通孔,该导通孔系为一凹口并延伸该金属基板 但未穿透;以及该金属基板系利用第二湿式化学蚀 刻进行蚀刻,从该金属基板之未蚀刻部份形成一金 属柱,该金属基板之未蚀刻部份系藉由该金属壁定 义,该金属柱系与该绕线及金属壁接触,并使该绕 线与金属壁间具电力地连接。 72.依据申请专利范围第71项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻,移除 大部份之金属基板。 73.依据申请专利范围第71项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻,移除 于该导电脚位边缘内之金属基板。. 74.依据申请专利范围第71项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻,移除 于该半导体晶片边缘内之金属基板。 75.依据申请专利范围第68项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻,并使该 绕线与其它与金属基板接触之绕线具电力地隔离 。 76.依据申请专利范围第68项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻,使该导 电脚位与其它于半导体晶片上之导电脚位具电力 地隔离。 77.依据申请专利范围第61项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属壁系可于连接该半导体晶片至该金属基板及绕 线前形成。 78.依据申请专利范围第61项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属壁系可于连接该半导体晶片至该金属基板及绕 线后形成。 79.依据申请专利范围第61项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊 接层系可于连接该半导体晶片至该金属基板及绕 线前形成。 80.依据申请专利范围第61项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊 接层系可于连接该半导体晶片至该金属基板及绕 线后形成。 81.依据申请专利范围第61项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该连 接部系可于该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进 行蚀刻前形成。 82.依据申请专利范围第61项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该连 接部系可于该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进 行蚀刻后形成。 83.依据申请专利范围第61项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,进一 步包含形成一密封剂,该密封剂系可于连接该半导 体晶片至该金属基板及绕线后覆盖于该半导体晶 片于第一方向上。 84.依据申请专利范围第83项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该密 封剂被形成后系进一步形成一绝缘基板,该绝缘基 板系与该绕线、金属壁及焊接层接触,并覆盖该金 属壁及焊接层于第二方向上,然后移除一部份之绝 缘基板使该绝缘基板无法覆盖该焊接层于第二方 向上。 85.依据申请专利范围第84项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该移 除一部份之绝缘基板系使该金属壁及焊接层于第 二方向暴露,但不使该绕线暴露。 86.依据申请专利范围第85项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该移 除一部份之绝缘基板系可利用研磨方式研磨该绝 缘基板。 87.依据申请专利范围第86项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该移 除一部份之绝缘基板系可利用研磨方式研磨该绝 缘基板,但未研磨该金属壁及焊接层,接着研磨该 绝缘基板、金属壁及焊接层,然后直到该绝缘基板 、金属壁及焊接层横向地排列于一朝向第二方向 之平面时停止研磨,并使该焊接层暴露。 88.依据申请专利范围第87项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊 接层系直接形成为该焊接端。 89.依据申请专利范围第88项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊 接端形成之方式系可包括于该绝缘基板、金属壁 及焊接端被研磨后使一焊锡材料沈积于该焊接层, 然后使该焊锡材料与焊接层一起回流形成该焊接 端。 90.依据申请专利范围第61项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该半 导体晶片封装结构系为第一层次封装。 91.一种焊接端具金属壁之半导体晶片封装结构之 制造方法,系至少包括: a、提供一包含相对应之第一平面及第二平面之金 属基板,其中该金属基板之第一平面系朝向第一方 向,该金属基板之第二平面系朝向第二方向,而该 第二方向与第一方向相反; b、形成一绕线于金属基板之第一平面上,其中该 绕线系与该金属基板之第一平面接触,并与该金属 基板之第二平面隔离; c、利用第一湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻 ,因此于金属基板形成一导通孔,该导通孔系由该 金属基板之第二平面往其第一平面延伸延伸至该 金属基板内; d、形成一金属壁于该金属基板上,其中,该金属壁 系与该导通孔内之金属基板接触,该金属壁系由该 金属基板之第二平面往其第一平面延伸至该金属 基板内,而该金属壁系包含一孔洞,该孔洞系由该 金属基板之第二平面往其第一平面延伸至该金属 基板内,并被该金属壁覆盖于第一方向上,且包含 一朝向第二方向之开口; e、形成一焊接层,该焊接层系与该孔洞内之金属 壁接触,并与该绕线隔离; f、机械地连接一半导体晶片至该金属基板及绕线 ,其中该半导体晶片系包括一导电脚位; g、形成一连接部,该连接部系可与该绕线及导电 脚位具电力地连接; h、于连接该半导体晶片至该金属基板及绕线后形 成一密封剂,其中,该密封剂系与该半导体晶片接 触,并从该半导体晶片、金属基板及绕线往第一方 向垂直地延伸,而该金属基板系从该半导体晶片及 绕线往第二方向垂直地延伸; i、于形成该金属壁、焊接层及密封剂后,利用第 二湿式化学蚀刻对该金属基板蚀刻,因此减少该金 属基板与绕线间及该金属基板与金属壁间之接触 区域; j、于该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻 后,形成一绝缘基板,该绝缘基板系与该绕线、金 属壁及焊接层接触,并覆盖该绕线、金属壁及焊接 层于第二方向上; k、移除一部份之绝缘基板,使该绝缘基板无法覆 盖该焊接层于第二方向上;以及 l、提供一焊接端,该焊接端系与该孔洞内之金属 壁接触,并包含该焊接层。 92.依据申请专利范围第91项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该绕 线之形成方式系可包括形成一电镀遮罩于该金属 基板上,其中该电镀遮罩系包含一开口,该开口系 使一部份之金属基板暴露;以及穿过该电镀遮罩之 开口将该绕线电镀于该金属基板之暴露部份。 93.依据申请专利范围第91项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属壁及焊接层之形成方法系至少包括下列步骤并 依照顺序: a、穿过一电镀遮罩之开口将该金属壁电镀于该金 属基板上,并进入该导通孔; b、使一锡膏沈积于该金属壁上;以及 c、使该锡膏回流,因此形成该焊接层。 94.依据申请专利范围第91项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊 接端系为该焊接层。 95.依据申请专利范围第91项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊 接端形成之方式系可包括于利用第二湿式化学蚀 刻对该金属基板进行蚀刻后,使一焊锡材料沈积于 该焊接层上,然后使该焊锡材料及焊接层一起回流 ,形成该焊接端。 96.依据申请专利范围第91项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该半 导体晶片与金属基板及绕线连接之方式系可包括 将一黏着剂置放于该半导体晶片与金属基板间,然 后使该黏着剂硬化。 97.依据申请专利范围第91项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该连 接部形成之方式系可包括提供一打线(wire bond)于 该绕线与导电脚位间。 98.依据申请专利范围第91项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻,使该 绕线暴露。 99.依据申请专利范围第98项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用该第一湿式化学蚀刻进行蚀刻形成 该导通孔,该导通孔系为一穿孔并延伸穿透该金属 基板,使该绕线暴露;以及该金属基板系利用第二 湿式化学蚀刻进行蚀刻,去除该金属基板与绕线间 及该金属基板与金属壁间之接触区域。 100.依据申请专利范围第99项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻,移除 该金属基板。 101.依据申请专利范围第98项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用该第一湿式化学蚀刻进行蚀刻形成 该导通孔,该导通孔系为一凹口并延伸该金属基板 但未穿透;以及该金属基板系利用第二湿式化学蚀 刻进行蚀刻,从该金属基板之未蚀刻部份形成一金 属柱,该金属基板之未蚀刻部份系藉由该金属壁定 义,该金属柱系与该绕线及金属壁接触,并使该绕 线与金属壁间具电力地连接。 102.依据申请专利范围第101项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻,移除 大部份之金属基板。 103.依据申请专利范围第101项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻,移除 于该导电脚位边缘内之金属基板。 104.依据申请专利范围第101项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻,移除 于该半导体晶片边缘内之金属基板。 105.依据申请专利范围第98项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻,并使该 绕线与其它与金属基板接触之绕线具电力地隔离 。 106.依据申请专利范围第98项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻,使该导 电脚位与其它于半导体晶片上之导电脚位具电力 地隔离。 107.依据申请专利范围第91项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属壁系可于连接该半导体晶片至该金属基板及绕 线前形成。 108.依据申请专利范围第91项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属壁系可于连接该半导体晶片至该金属基板及绕 线后形成。 109.依据申请专利范围第91项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊 接层系可于连接该半导体晶片至该金属基板及绕 线前形成。 110.依据申请专利范围第91项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊 接层系可于连接该半导体晶片至该金属基板及绕 线后形成。 111.依据申请专利范围第91项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该连 接部系可于该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进 行蚀刻前形成。 112.依据申请专利范围第91项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该连 接部系可于该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进 行蚀刻后形成。 113.依据申请专利范围第91项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该密 封剂系可利用转注成形法(transfer molding)形成。 114.依据申请专利范围第91项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该移 除一部份之绝缘基板系使该金属壁及焊接层于第 二方向暴露,但不使该绕线暴露。 115.依据申请专利范围第114项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该移 除一部份之绝缘基板系为移除覆盖该金属壁及焊 接层于第二方向上之绝缘基板。 116.依据申请专利范围第115项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该移 除一部份之绝缘基板系可利用研磨方式研磨该绝 缘基板。 117.依据申请专利范围第116项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该移 除一部份之绝缘基板系可利用研磨方式研磨该绝 缘基板,但未研磨该金属壁及焊接层,接着研磨该 绝缘基板、金属壁及焊接层,然后直到该绝缘基板 、金属壁及焊接层横向地排列于一朝向第二方向 之平面时停止研磨,并使该金属壁及焊接层暴露。 118.依据申请专利范围第117项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊 接层系直接形成为该焊接端。 119.依据申请专利范围第118项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊 接端形成之方式系可包括于该绝缘基板、金属壁 及焊接端被研磨后使一焊锡材料沈积于该焊接层, 然后使该焊锡材料与焊接层一起回流形成该焊接 端。 120.依据申请专利范围第91项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该半 导体晶片封装结构系为第一层次封装。 121.一种焊接端具金属壁之半导体晶片封装结构之 制造方法,系至少包括: a、提供一包含相对应之第一平面及第二平面之金 属基板,其中该金属基板之第一平面系朝向第一方 向,该金属基板之第二平面系朝向第二方向,而该 第二方向与第一方向相反; b、形成一绕线于金属基板之第一平面上,其中该 绕线系与该金属基板之第一平面接触,并与该金属 基板之第二平面隔离; c、利用第一湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻 ,因此于该金属基板内形成一导通孔,该导通孔系 由该金属基板之第二平面往其第一平面延伸至该 金属基板内; d、形成一金属壁于该金属基板上,其中,该金属壁 系与该导通孔内之金属基板接触,该金属壁系由该 金属基板之第二平面往其第一平面延伸至该金属 基板内,而该金属壁系包含一孔洞,该孔洞系由该 金属基板之第二平面往其第一平面延伸至该金属 基板内,并被该金属壁覆盖于第一方向上,且包含 一朝向第二方向之开口; e、形成一焊接层,该焊接层系与该孔洞内之金属 壁接触,并与该绕线隔离; f、机械地连接一半导体晶片至该金属基板、绕线 、金属壁及焊接层,其中该半导体晶片系包括一导 电脚位; g、形成一连接部,该连接部系可与该绕线及导电 脚位具电力地连接; h、于连接该半导体晶片至该金属基板、绕线、金 属壁及焊接端后形成一密封剂,其中,该密封剂系 与该半导体晶片接触,并从该半导体晶片、金属基 板、绕线、金属壁及焊接层往第一方向垂直地延 伸,而该金属基板系从该半导体晶片及绕线往第二 方向垂直地延伸; i、于形成该密封剂后,利用第二湿式化学蚀刻对 该金属基板蚀刻,因此减少该金属基板与绕线间及 该金属基板与金属壁间之接触区域,并使该绕线暴 露; j、于该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻 后,形成一绝缘基板,该绝缘基板系与该绕线、金 属壁及焊接层接触,并覆盖该绕线、金属壁及焊接 层于第二方向上; k、移除一部份之绝缘基板,使该绝缘基板无法覆 盖该焊接层于第二方向上;以及 l、提供一焊接端,该焊接端系与该孔洞内之金属 壁接触,并包含该焊接层。 122.依据申请专利范围第121项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该绕 线之形成方式系可包括形成一电镀遮罩于该金属 基板上,其中该电镀遮罩系包含一开口,该开口系 使一部份之金属基板暴露;以及穿过该电镀遮罩之 开口将该绕线电镀于该金属基板之暴露部份。 123.依据申请专利范围第121项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属壁及焊接层之形成方法系至少包括下列步骤并 依照顺序: a、穿过一电镀遮罩之开口将该金属壁电镀于该金 属基板上,并进入该导通孔; b、使一锡膏沈积于该金属壁上;以及 c、使该锡膏回流,因此形成该焊接层。 124.依据申请专利范围第121项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊 接端系为该焊接层。 125.依据申请专利范围第121项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊 接端形成之方式系可包括于利用第二湿式化学蚀 刻对该金属基板进行蚀刻后,使一焊锡材料沈积于 该焊接层上,然后使该焊锡材料及焊接层一起回流 ,形成该焊接端。 126.依据申请专利范围第121项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用该第一湿式化学蚀刻进行蚀刻形成 该导通孔,该导通孔系为一穿孔并延伸穿透该金属 基板,使该绕线暴露;以及该金属基板系利用第二 湿式化学蚀刻进行蚀刻,去除该金属基板与绕线间 及该金属基板与金属壁间之接触区域。 127.依据申请专利范围第126项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻,移除 该金属基板。 128.依据申请专利范围第121项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用该第一湿式化学蚀刻进行蚀刻形成 该导通孔,该导通孔系为一凹口并延伸该金属基板 但未穿透;以及该金属基板系利用第二湿式化学蚀 刻进行蚀刻,从该金属基板之未蚀刻部份形成一金 属柱,该金属基板之未蚀刻部份系藉由该金属壁定 义,该金属柱系与该绕线及金属壁接触,并使该绕 线与金属壁间具电力地连接。 129.依据申请专利范围第128项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻,移除 大部份之金属基板。 130.依据申请专利范围第121项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻,并使该 绕线与其它与金属基板接触之绕线具电力地隔离 。 131.依据申请专利范围第121项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻,使该导 电脚位与其它于半导体晶片上之导电脚位具电力 地隔离。 132.依据申请专利范围第121项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该连 接部系可于该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进 行蚀刻前形成。 133.依据申请专利范围第121项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该连 接部系可于该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进 行蚀刻后形成。 134.依据申请专利范围第121项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该移 除一部份之绝缘基板系使该金属壁及焊接层于第 二方向暴露,但不使该绕线暴露。 135.依据申请专利范围第134项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该移 除一部份之绝缘基板系为移除覆盖该金属壁及焊 接层于第二方向上之绝缘基板。 136.依据申请专利范围第135项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该移 除一部份之绝缘基板系可利用研磨方式研磨该绝 缘基板。 137.依据申请专利范围第136项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该移 除一部份之绝缘基板系可利用研磨方式研磨该绝 缘基板,但未研磨该金属壁及焊接层,接着研磨该 绝缘基板、金属壁及焊接层,然后直到该绝缘基板 、金属壁及焊接层横向地排列于一朝向第二方向 之平面时停止研磨,并使该金属壁及焊接层暴露。 138.依据申请专利范围第137项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊 接层系直接形成为该焊接端。 139.依据申请专利范围第138项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊 接端形成之方式系可包括于该绝缘基板、金属壁 及焊接端被研磨后使一焊锡材料沈积于该焊接层, 然后使该焊锡材料与焊接层一起回流形成该焊接 端。 140.依据申请专利范围第121项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该半 导体晶片封装结构系为第一层次封装。 141.一种焊接端具金属壁之半导体晶片封装结构之 制造方法,系至少包括: a、提供一包含相对应之第一平面及第二平面之金 属基板,其中该金属基板之第一平面系朝向第一方 向,该金属基板之第二平面系朝向第二方向,而该 第二方向与第一方向相反; b、形成一绕线于金属基板之第一平面上,其中该 绕线系与该金属基板之第一平面接触,并与该金属 基板之第二平面隔离; c、利用第一湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻 ,因此于该金属基板内形成一导通孔,该导通孔系 由该金属基板之第二平面往其第一平面延伸至该 金属基板内; d、形成一金属壁于该金属基板上,其中,该金属壁 系与该导通孔内之金属基板接触,该金属壁系由该 金属基板之第二平面往其第一平面延伸至该金属 基板内,而该金属壁系包含一孔洞,该孔洞系由该 金属基板之第二平面往其第一平面延伸至该金属 基板内,并被该金属壁覆盖于第一方向上,且包含 一朝向第二方向之开口; e、机械地连接一半导体晶片至该金属基板、绕线 及金属壁,其中该半导体晶片系包括一导电脚位; f、形成一连接部,该连接部系可与该绕线及导电 脚位具电力地连接; g、于连接该半导体晶片至该金属基板、绕线及金 属壁后形成一密封剂,其中,该密封剂系与该半导 体晶片接触,并从该半导体晶片、金属基板、绕线 及金属壁往第一方向垂直地延伸,而该金属基板系 从该半导体晶片及绕线往第二方向垂直地延伸; h、于形成该密封剂后,形成一焊接层,该焊接层系 与该孔洞内之金属壁接触,并与该绕线隔离; i、于形成该焊接层后,利用第二湿式化学蚀刻对 该金属基板蚀刻,因此减少该金属基板与绕线间及 该金属基板与金属壁间之接触区域,并使该绕线暴 露; j、于该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻 后,形成一绝缘基板,该绝缘基板系与该绕线、金 属壁及焊接层接触,并覆盖该绕线、金属壁及焊接 层于第二方向上; k、移除一部份之绝缘基板,使该绝缘基板无法覆 盖该焊接层于第二方向上;以及 l、提供一焊接端,该焊接端系与该孔洞内之金属 壁接触,并包含该焊接层。 142.依据申请专利范围第141项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该绕 线之形成方式系可包括形成一电镀遮罩于该金属 基板上,其中该电镀遮罩系包含一开口,该开口系 使一部份之金属基板暴露;以及穿过该电镀遮罩之 开口将该绕线电镀于该金属基板之暴露部份。 143.依据申请专利范围第141项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属壁及焊接层之形成方法系至少包括下列步骤并 依照顺序: a、穿过一电镀遮罩之开口将该金属壁电镀于该金 属基板上,并进入该导通孔; b、使一锡膏沈积于该金属壁上;以及 c、使该锡膏回流,因此形成该焊接层。 144.依据申请专利范围第141项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊 接端系为该焊接层。 145.依据申请专利范围第141项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊 接端形成之方式系可包括于利用第二湿式化学蚀 刻对该金属基板进行蚀刻后,使一焊锡材料沈积于 该焊接层上,然后使该焊锡材料及焊接层一起回流 ,形成该焊接端。 146.依据申请专利范围第141项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用该第一湿式化学蚀刻进行蚀刻形成 该导通孔,该导通孔系为一穿孔并延伸穿透该金属 基板,使该绕线暴露;以及该金属基板系利用第二 湿式化学蚀刻进行蚀刻,去除该金属基板与绕线间 及该金属基板与金属壁间之接触区域。 147.依据申请专利范围第146项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻,移除 该金属基板。 148.依据申请专利范围第141项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用该第一湿式化学蚀刻进行蚀刻形成 该导通孔,该导通孔系为一凹口并延伸该金属基板 但未穿透;以及该金属基板系利用第二湿式化学蚀 刻进行蚀刻,从该金属基板之未蚀刻部份形成一金 属柱,该金属基板之未蚀刻部份系藉由该金属壁定 义,该金属柱系与该绕线及金属壁接触,并使该绕 线与金属壁间具电力地连接。 149.依据申请专利范围第148项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻,移除 大部份之金属基板。 150.依据申请专利范围第141项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻,并使该 绕线与其它与金属基板接触之绕线具电力地隔离 。 151.依据申请专利范围第141项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻,使该导 电脚位与其它于半导体晶片上之导电脚位具电力 地隔离。 152.依据申请专利范围第141项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该连 接部系可于该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进 行蚀刻前形成。 153.依据申请专利范围第141项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该连 接部系可于该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进 行蚀刻后形成。 154.依据申请专利范围第141项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该移 除一部份之绝缘基板系使该金属壁及焊接层于第 二方向暴露,但不使该绕线暴露。 155.依据申请专利范围第154项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该移 除一部份之绝缘基板系为移除覆盖该金属壁及焊 接层于第二方向上之绝缘基板。 156.依据申请专利范围第155项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该移 除一部份之绝缘基板系可利用研磨方式研磨该绝 缘基板。 157.依据申请专利范围第156项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该移 除一部份之绝缘基板系可利用研磨方式研磨该绝 缘基板,但未研磨该金属壁及焊接层,接着研磨该 绝缘基板、金属壁及焊接层,然后直到该绝缘基板 、金属壁及焊接层横向地排列于一朝向第二方向 之平面时停止研磨,并使该金属壁及焊接层暴露。 158.依据申请专利范围第157项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊 接层系直接形成为该焊接端。 159.依据申请专利范围第158项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊 接端形成之方式系可包括于该绝缘基板、金属壁 及焊接端被研磨后使一焊锡材料沈积于该焊接层, 然后使该焊锡材料与焊接层一起回流形成该焊接 端。 160.依据申请专利范围第141项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该半 导体晶片封装结构系为第一层次封装。 161.一种焊接端具金属壁之半导体晶片封装结构之 制造方法,系至少包括: a、提供一包含相对应之第一平面及第二平面之金 属基板,其中该金属基板之第一平面系朝向第一方 向,该金属基板之第二平面系朝向第二方向,而该 第二方向与第一方向相反; b、形成一绕线于金属基板之第一平面上,其中该 绕线系与该金属基板之第一平面接触,并与该金属 基板之第二平面隔离; c、机械地连接一半导体晶片至该金属基板及绕线 ,其中该半导体晶片系包括一导电脚位; d、形成一连接部,该连接部系可与该绕线及导电 脚位具电力地连接; e、于连接该半导体晶片至该金属基板及绕线后形 成一密封剂,其中,该密封剂系与该半导体晶片接 触,并从该半导体晶片、金属基板及绕线往第一方 向垂直地延伸,而该金属基板系从该半导体晶片及 绕线往第二方向垂直地延伸; f、于形成密封剂后,利用第一湿式化学蚀刻对该 金属基板进行蚀刻,因此于该金属基板内形成一导 通孔,该导通孔系由该金属基板之第二平面往其第 一平面延伸至该金属基板内; g、形成一金属壁于该金属基板上,其中,该金属壁 系与该导通孔内之金属基板接触,该金属壁系由该 金属基板之第二平面往其第一平面延伸至该金属 基板内,而该金属壁系包含一孔洞,该孔洞系由该 金属基板之第二平面往其第一平面延伸至该金属 基板内,并被该金属壁覆盖于第一方向上,且包含 一朝向第二方向之开口; h、形成一焊接层,该焊接层系与该孔洞内之金属 壁接触,并与该绕线隔离; i、于形成该焊接层后,利用第二湿式化学蚀刻对 该金属基板蚀刻,因此减少该金属基板与绕线间及 该金属基板与金属壁间之接触区域,并使该绕线暴 露; j、于该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻 后,形成一绝缘基板,该绝缘基板系与该绕线、金 属壁及焊接层接触,并覆盖该绕线、金属壁及焊接 层于第二方向上; k、移除一部份之绝缘基板,使该绝缘基板无法覆 盖该焊接层于第二方向上;以及 l、提供一焊接端,该焊接端系与该孔洞内之金属 壁接触,并包含该焊接层。 162.依据申请专利范围第161项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该绕 线之形成方式系可包括形成一电镀遮罩于该金属 基板上,其中该电镀遮罩系包含一开口,该开口系 使一部份之金属基板暴露;以及穿过该电镀遮罩之 开口将该绕线电镀于该金属基板之暴露部份。 163.依据申请专利范围第161项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属壁及焊接层之形成方法系至少包括下列步骤并 依照顺序: a、穿过一电镀遮罩之开口将该金属壁电镀于该金 属基板上,并进入该导通孔; b、使一锡膏沈积于该金属壁上;以及 c、使该锡膏回流,因此形成该焊接层。 164.依据申请专利范围第161项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊 接端系为该焊接层。 165.依据申请专利范围第161项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊 接端形成之方式系可包括于利用第二湿式化学蚀 刻对该金属基板进行蚀刻后,使一焊锡材料沈积于 该焊接层上,然后使该焊锡材料及焊接层一起回流 ,形成该焊接端。 166.依据申请专利范围第161项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用该第一湿式化学蚀刻进行蚀刻形成 该导通孔,该导通孔系为一穿孔并延伸穿透该金属 基板,使该绕线暴露;以及该金属基板系利用第二 湿式化学蚀刻进行蚀刻,去除该金属基板与绕线间 及该金属基板与金属壁间之接触区域。 167.依据申请专利范围第166项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻,移除 该金属基板。 168.依据申请专利范围第161项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用该第一湿式化学蚀刻进行蚀刻形成 该导通孔,该导通孔系为一凹口并延伸该金属基板 但未穿透;以及该金属基板系利用第二湿式化学蚀 刻进行蚀刻,从该金属基板之未蚀刻部份形成一金 属柱,该金属基板之未蚀刻部份系藉由该金属壁定 义,该金属柱系与该绕线及金属壁接触,并使该绕 线与金属壁间具电力地连接。 169.依据申请专利范围第168项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻,移除 大部份之金属基板。 170.依据申请专利范围第161项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻,并使该 绕线与其它与金属基板接触之绕线具电力地隔离 。 171.依据申请专利范围第161项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻,使该导 电脚位与其它于半导体晶片上之导电脚位具电力 地隔离。 172.依据申请专利范围第161项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该连 接部系可于该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进 行蚀刻前形成。 173.依据申请专利范围第161项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该连 接部系可于该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进 行蚀刻后形成。 174.依据申请专利范围第161项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该移 除一部份之绝缘基板系使该金属壁及焊接层于第 二方向暴露,但不使该绕线暴露。 175.依据申请专利范围第174项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该移 除一部份之绝缘基板系为移除覆盖该金属壁及焊 接层于第二方向上之绝缘基板。 176.依据申请专利范围第175项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该移 除一部份之绝缘基板系可利用研磨方式研磨该绝 缘基板。 177.依据申请专利范围第176项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该移 除一部份之绝缘基板系可利用研磨方式研磨该绝 缘基板,但未研磨该金属壁及焊接层,接着研磨该 绝缘基板、金属壁及焊接层,然后直到该绝缘基板 、金属壁及焊接层横向地排列于一朝向第二方向 之平面时停止研磨,并使该金属壁及焊接层暴露。 178.依据申请专利范围第177项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊 接层系直接形成为该焊接端。 179.依据申请专利范围第178项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊 接端形成之方式系可包括于该绝缘基板、金属壁 及焊接端被研磨后使一焊锡材料沈积于该焊接层, 然后使该焊锡材料与焊接层一起回流形成该焊接 端。 180.依据申请专利范围第161项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该半 导体晶片封装结构系为第一层次封装。 181.一种焊接端具金属壁之半导体晶片封装结构之 制造方法,系至少包括: a、提供一包含相对应之第一平面及第二平面之金 属基板,其中该金属基板之第一平面系朝向第一方 向,该金属基板之第二平面系朝向第二方向,而该 第二方向与第一方向相反; b、形成一绕线于金属基板之第一平面上,其中该 绕线系与该金属基板之第一平面接触,并与该金属 基板之第二平面隔离; c、利用第一湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻 ,因此于该金属基板内形成一穿孔,该穿孔系穿过 该金属基板之第一及第二平面间,使该绕线暴露; d、形成一金属壁于该金属基板及绕线上,其中,该 金属壁系与该穿孔内之金属基板及绕线接触,该金 属壁系延伸穿透该金属基板之第一及第二平面间, 而该金属壁系包含一孔洞,该孔洞系由该金属基板 之第二平面往其第一平面延伸至该金属基板内,并 被该金属壁覆盖于第一方向上,且包含一朝向第二 方向之开口; e、形成一焊接层,该焊接层系与该孔洞内之金属 壁接触,并与该绕线隔离; f、机械地连接一半导体晶片至该金属基板及绕线 ,其中该半导体晶片系包括一导电脚位; g、形成一连接部,该连接部系可与该绕线及导电 脚位具电力地连接; h、于连接该半导体晶片至该金属基板及绕线后形 成一密封剂,其中,该密封剂系与该半导体晶片接 触,并从该半导体晶片、金属基板及绕线往第一方 向垂直地延伸,而该金属基板系从该半导体晶片及 绕线往第二方向垂直地延伸; i、于形成该金属壁、焊接层及密封剂后,利用第 二湿式化学蚀刻对该金属基板蚀刻,因此去除该金 属基板与绕线间及该金属基板与金属壁间之接触 区域,并使该绕线暴露; j、于该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻 后,形成一绝缘基板,该绝缘基板系与该绕线、金 属壁及焊接层接触,并覆盖该绕线、金属壁及焊接 层于第二方向上; k、移除一部份之绝缘基板,使该绝缘基板无法覆 盖该焊接层于第二方向上;以及 l、提供一焊接端,该焊接端系与该孔洞内之金属 壁接触,并包含该焊接层。 182.依据申请专利范围第181项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该绕 线、金属壁及焊接端之形成方式系可包括将该绕 线电镀于该金属基板上,再将该金属壁电镀于该金 属基板及绕线上,接着使一锡膏沈积于金属壁上, 最后使该锡膏回流,因此形成该焊接层。 183.依据申请专利范围第181项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊 接端系为该焊接层。 184.依据申请专利范围第181项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊 接端形成之方式系可包括于利用第二湿式化学蚀 刻对该金属基板进行蚀刻后,使一焊锡材料沈积于 该焊接层上,然后使该焊锡材料及焊接层一起回流 ,形成该焊接端。 185.依据申请专利范围第181项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻,移除 该金属基板。 186.依据申请专利范围第181项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻,并使该 绕线与其它与金属基板接触之绕线具电力地隔离, 以及使该导电脚位与其它于半导体晶片上之导电 脚位具电力地隔离。 187.依据申请专利范围第181项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,进一 步包含形成该金属壁,接着形成该焊接层,然后连 接该半导体晶片至该金属基板、绕线、金属壁及 焊接层,以及形成该密封剂。 188.依据申请专利范围第181项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,进一 步包含形成该金属壁,接着连接该半导体晶片至该 金属基板、绕线及金属壁,然后形成该密封剂,以 及形成该焊接层。 189.依据申请专利范围第181项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,进一 步包含连接该半导体晶片至该金属基板及绕线,接 着形成该密封剂,然后形成该金属壁,以及形成该 焊接层。 190.依据申请专利范围第181项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该移 除一部份之绝缘基板系可利用研磨方式研磨该绝 缘基板,但未研磨该金属壁及焊接层,接着研磨该 绝缘基板、金属壁及焊接层,然后直到该绝缘基板 、金属壁及焊接层横向地排列于一朝向第二方向 之平面时停止研磨,并使该金属壁及焊接层暴露。 191.一种焊接端具金属壁之半导体晶片封装结构之 制造方法,系至少包括: a、提供一包含相对应之第一平面及第二平面之金 属基板,其中该金属基板之第一平面系朝向第一方 向,该金属基板之第二平面系朝向第二方向,而该 第二方向与第一方向相反; b、形成一绕线于金属基板之第一平面上,其中该 绕线系与该金属基板之第一平面接触,并与该金属 基板之第二平面隔离; c、利用第一湿式化学蚀刻对该金属基板进行蚀刻 ,因此于该金属基板内形成一凹口,该凹口系由该 金属基板之第二平面往其第一平面延伸至该金属 基板内但未穿透,并与该金属基板之第二平面隔离 ; d、形成一金属壁于该金属基板及绕线上,其中,该 金属壁系与该凹口内之金属基板接触,该金属壁系 由该金属基板之第二平面往其第一平面延伸至该 金属基板内但未穿透,而该金属壁系与该金属基板 之第一平面隔离并包含一孔洞,该孔洞系由该金属 基板之第二平面往其第一平面延伸至该金属基板 内,并被该金属壁覆盖于第一方向上,且包含一朝 向第二方向之开口; e、形成一焊接层,该焊接层系与该孔洞内之金属 壁接触,并与该绕线隔离; f、机械地连接一半导体晶片至该金属基板及绕线 ,其中该半导体晶片系包括一导电脚位; g、形成一连接部,该连接部系可与该绕线及导电 脚位具电力地连接; h、于连接该半导体晶片至该金属基板及绕线后形 成一密封剂,其中,该密封剂系与该半导体晶片接 触,并从该半导体晶片、金属基板及绕线往第一方 向垂直地延伸,而该金属基板系从该半导体晶片及 绕线往第二方向垂直地延伸; i、于形成该金属壁、焊接层及密封剂后,利用第 二湿式化学蚀刻对该金属基板蚀刻,因此减少该金 属基板与绕线间及该金属基板与金属壁间之接触 区域但未去除,并从该金属基板之未蚀刻部份形成 一金属柱,该金属基板之未蚀刻部份系藉由该金属 壁定义,该金属柱系与该绕线及金属壁接触,并使 该绕线与金属壁间具电力地连接,且与该焊接层隔 离,使该绕线暴露; j、于该金属基板利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻 后,形成一绝缘基板,该绝缘基板系与该绕线、金 属壁、金属柱及焊接层接触,并覆盖该绕线、金属 壁、金属柱及焊接层于第二方向上; k、移除一部份之绝缘基板,使该绝缘基板无法覆 盖该焊接层于第二方向上;以及 l、提供一焊接端,该焊接端系与该孔洞内之金属 壁接触,并包含该焊接层。 192.依据申请专利范围第191项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该绕 线、金属壁及焊接端之形成方式系可包括将该绕 线电镀于该金属基板上,再将该金属壁电镀于该金 属基板及绕线上,接着使一锡膏沈积于金属壁上, 最后使该锡膏回流,因此形成该焊接层。 193.依据申请专利范围第191项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊 接端系为该焊接层。 194.依据申请专利范围第191项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该焊 接端形成之方式系可包括于利用第二湿式化学蚀 刻对该金属基板进行蚀刻后,使一焊锡材料沈积于 该焊接层上,然后使该焊锡材料及焊接层一起回流 ,形成该焊接端。 195.依据申请专利范围第191项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用该第二湿式化学蚀刻进行蚀刻,移除 大部份之金属基板。 196.依据申请专利范围第191项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该金 属基板系利用第二湿式化学蚀刻进行蚀刻,并使该 绕线与其它与金属基板接触之绕线具电力地隔离, 以及使该导电脚位与其它于半导体晶片上之导电 脚位具电力地隔离。 197.依据申请专利范围第191项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,进一 步包含形成该金属壁,接着形成该焊接层,然后连 接该半导体晶片至该金属基板、绕线、金属壁及 焊接层,以及形成该密封剂。 198.依据申请专利范围第191项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,进一 步包含形成该金属壁,接着连接该半导体晶片至该 金属基板、绕线及金属壁,然后形成该密封剂,以 及形成该焊接层。 199.依据申请专利范围第191项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,进一 步包含连接该半导体晶片至该金属基板及绕线,接 着形成该密封剂,然后形成该金属壁,以及形成该 焊接层。 200.依据申请专利范围第191项所述之焊接端具金属 壁之半导体晶片封装结构之制造方法,其中,该移 除一部份之绝缘基板系可利用研磨方式研磨该绝 缘基板,但未研磨该金属壁及焊接层,接着研磨该 绝缘基板、金属壁及焊接层,然后直到该绝缘基板 、金属壁及焊接层横向地排列于一朝向第二方向 之平面时停止研磨,并使该金属壁及焊接层暴露。 图式简单说明: 第1A图,本发明之半导体晶片结构剖面示意图。 第1B图,本发明之半导体晶片结构俯视示意图。 第1C图,本发明之半导体晶片结构仰视示意图。 第2A图,系本发明之金属基板结构剖面示意图。 第2B图,系本发明之金属基板结构俯视示意图。 第2C图,系本发明之金属基板结构仰视示意图。 第3A图,系本发明之光阻层与金属基板结构剖面示 意图。 第3B图,系本发明之光阻层与金属基板结构俯视示 意图。 第3C图,系本发明之光阻层与金属基板结构仰视示 意图。 第4A图,系本发明之具凹口之金属基板结构剖面示 意图。 第4B图,系本发明之具凹口之金属基板结构俯视示 意图。 第4C图,系本发明之具凹口之金属基板结构仰视示 意图。 第5A图,系本发明之金属壁形成于金属基板结构剖 面示意图。 第5B图,系本发明之金属壁形成于金属基板结构俯 视示意图。 第5C图,系本发明之金属壁形成于金属基板结构仰 视示意图。 第6A图,系本发明之模板覆盖于第二光阻层之结构 剖面示意图。 第6B图,系本发明之模板覆盖于第二光阻层之结构 俯视示意图。 第6C图,系本发明之模板覆盖于第二光阻层之结构 仰视示意图。 第7A图,系本发明之锡膏沈积于金属壁之结构剖面 示意图。 第7B图,系本发明之锡膏沈积于金属壁之结构俯视 示意图。 第7C图,系本发明之锡膏沈积于金属壁之结构仰视 示意图。 第8A图,系本发明之移去模板后之结构剖面示意图 。 第8B图,系本发明之移去模板后之结构俯视示意图 。 第8C图,系本发明之移去模板后之结构仰视示意图 。 第9A图,系本发明之锡膏形成焊接层后之结构剖面 示意图。 第9B图,系本发明之锡膏形成焊接层后之结构俯视 示意图。 第9C图,系本发明之锡膏形成焊接层后之结构仰视 示意图。 第10A图,系本发明之第一光阻层及第二光阻层剥落 后之结构剖面示意图。 第10B图,系本发明之第一光阻层及第二光阻层剥落 后之结构俯视示意图。 第10C图,系本发明之第一光阻层及第二光阻层剥落 后之结构仰视示意图。 第11A图,系本发明之第三光阻层及第四光阻层形成 于金属基板后之结构剖面示意图。 第11B图,系本发明之第三光阻层及第四光阻层形成 于金属基板后之结构俯视示意图。 第11C图,系本发明之第三光阻层及第四光阻层形成 于金属基板后之结构仰视示意图。 第12A图,系本发明之绕线附于金属基板时之结构剖 面示意图。 第12B图,系本发明之绕线附于金属基板时之结构俯 视示意图。 第12C图,系本发明之绕线附于金属基板时之结构仰 视示意图。 第13A图,系本发明之第三光阻层及第四光阻层剥落 后之结构剖面示意图。 第13B图,系本发明之第三光阻层及第四光阻层剥落 后之结构俯视示意图。 第13C图,系本发明之第三光阻层及第四光阻层剥落 后之结构仰视示意图。 第14A图,系本发明之焊接遮罩于金属基板及绕线时 之结构剖面示意图。 第14B图,系本发明之焊接遮罩于金属基板及绕线时 之结构俯视示意图。 第14C图,系本发明之焊接遮罩于金属基板及绕线时 之结构仰视示意图。 第15A图,系本发明之第五光阻层及第六光阻层形成 后之结构剖面示意图。 第15B图,系本发明之第五光阻层及第六光阻层形成 后之结构俯视示意图。 第15C图,系本发明之第五光阻层及第六光阻层形成 后之结构仰视示意图。 第16A图,系本发明之电镀接点形成于绕线后之结构 剖面示意图。 第16B图,系本发明之电镀接点形成于绕线后之结构 俯视示意图。 第16C图,系本发明之电镀接点形成于绕线后之结构 仰视示意图。 第17A图,系本发明之第五光阻层及第六光阻层剥落 后之结构剖面示意图。 第17B图,系本发明之第五光阻层及第六光阻层剥落 后之结构俯视示意图。 第17C图,系本发明之第五光阻层及第六光阻层剥落 后之结构仰视示意图。 第18A图,系本发明之黏着剂形成于焊接遮罩后之结 构剖面示意图。 第18B图,系本发明之黏着剂形成于焊接遮罩后之结 构俯视示意图。 第18C图,系本发明之黏着剂形成于焊接遮罩后之结 构仰视示意图。 第19A图,系本发明之具半导体晶片之结构剖面示意 图。 第19B图,系本发明之具半导体晶片之结构俯视示意 图。 第19C图,系本发明之具半导体晶片之结构仰视示意 图。 第20A图,系本发明之连接部附于导电脚位及电镀接 点时之结构剖面示意图。 第20B图,系本发明之连接部附于导电脚位及电镀接 点时之结构俯视示意图。 第20C图,系本发明之连接部附于导电脚位及电镀接 点时之结构仰视示意图。 第21A图,系本发明之具密封层之结构剖面示意图。 第21B图,系本发明之具密封层之结构俯视示意图。 第21C图,系本发明之具密封层之结构仰视示意图。 第22A图,系本发明之金属柱于金属基板上形成后之 结构剖面示意图。 第22B图,系本发明之金属柱于金属基板上形成后之 结构俯视示意图。 第22C图,系本发明之金属柱于金属基板上形成后之 结构仰视示意图。 第23A图,系本发明之绝缘封胶形成后之结构剖面示 意图。 第23B图,系本发明之绝缘封胶形成后之结构俯视示 意图。 第23C图,系本发明之绝缘封胶形成后之结构仰视示 意图。 第24A图,系本发明之绝缘封胶移除后之结构剖面示 意图。 第24B图,系本发明之绝缘封胶移除后之结构俯视示 意图。 第24C图,系本发明之绝缘封胶移除后之结构仰视示 意图。 第25A图,系本发明之锡球形成后之结构剖面示意图 。 第25B图,系本发明之锡球形成后之结构俯视示意图 。 第25C图,系本发明之锡球形成后之结构仰视示意图 。 第26A图,系本发明之焊接端形成后之结构剖面示意 图。 第26B图,系本发明之焊接端形成后之结构俯视示意 图。 第26C图,系本发明之焊接端形成后之结构仰视示意 图。 第27A图,系本发明之半导体晶片封装结构之结构剖 面示意图。 第27B图,系本发明之半导体晶片封装结构之结构俯 视示意图。 第27C图,系本发明之半导体晶片封装结构之结构仰 视示意图。 第28A图,本发明之半导体晶片结构剖面示意图。 第28B图,本发明之半导体晶片结构俯视示意图。 第28C图,本发明之半导体晶片结构仰视示意图。 第29A图,系本发明之金属基板结构剖面示意图。 第29B图,系本发明之金属基板结构俯视示意图。 第29C图,系本发明之金属基板结构仰视示意图。 第30A图,系本发明之光阻层与金属基板结构剖面示 意图。 第30B图,系本发明之光阻层与金属基板结构俯视示 意图。 第30C图,系本发明之光阻层与金属基板结构仰视示 意图。 第31A图,系本发明之具凹口之金属基板结构剖面示 意图。 第31B图,系本发明之具凹口之金属基板结构俯视示 意图。 第31C图,系本发明之具凹口之金属基板结构仰视示 意图。 第32A图,系本发明之具金属壁之金属基板结构剖面 示意图。 第32B图,系本发明之具金属壁之金属基板结构俯视 示意图。 第32C图,系本发明之具金属壁之金属基板结构仰视 示意图。 第33A图,系本发明之第一光阻层及第二光阻层剥落 后之结构剖面示意图。 第33B图,系本发明之第一光阻层及第二光阻层剥落 后之结构俯视示意图。 第33C图,系本发明之第一光阻层及第二光阻层剥落 后之结构仰视示意图。 第34A图,系本发明之第三光阻层及第四光阻层形成 于金属基板后之结构剖面示意图。 第34B图,系本发明之第三光阻层及第四光阻层形成 于金属基板后之结构俯视示意图。 第34C图,系本发明之第三光阻层及第四光阻层形成 于金属基板后之结构仰视示意图。 第35A图,系本发明之绕线附于金属基板时之结构剖 面示意图。 第35B图,系本发明之绕线附于金属基板时之结构俯 视示意图。 第35C图,系本发明之绕线附于金属基板时之结构仰 视示意图。 第36A图,系本发明之第三光阻层及第四光阻层剥落 后之结构剖面示意图。 第36B图,系本发明之第三光阻层及第四光阻层剥落 后之结构俯视示意图。 第36C图,系本发明之第三光阻层及第四光阻层剥落 后之结构仰视示意图。 第37A图,系本发明之焊接遮罩于金属基板及绕线时 之结构剖面示意图。 第37B图,系本发明之焊接遮罩于金属基板及绕线时 之结构俯视示意图。 第37C图,系本发明之焊接遮罩于金属基板及绕线时 之结构仰视示意图。 第38A图,系本发明之第五光阻层及第六光阻层形成 后之结构剖面示意图。 第38B图,系本发明之第五光阻层及第六光阻层形成 后之结构俯视示意图。 第38C图,系本发明之第五光阻层及第六光阻层形成 后之结构仰视示意图。 第39A图,系本发明之电镀接点形成于绕线后之结构 剖面示意图。 第39B图,系本发明之电镀接点形成于绕线后之结构 俯视示意图。 第39C图,系本发明之电镀接点形成于绕线后之结构 仰视示意图。 第40A图,系本发明之第五光阻层及第六光阻层剥落 后之结构剖面示意图。 第40B图,系本发明之第五光阻层及第六光阻层剥落 长之结构俯视示意图。 第40C图,系本发明之第五光阻层及第六光阻层剥落 后之结构仰视示意图。 第41A图,系本发明之黏着剂形成于焊接遮罩后之结 构剖面示意图。 第41B图,系本发明之黏着剂形成于焊接遮罩后之结 构俯视示意图。 第41C图,系本发明之黏着剂形成于焊接遮罩后之结 构仰视示意图。 第42A图,系本发明之具半导体晶片之结构剖面示意 图。 第42B图,系本发明之具半导体晶片之结构俯视示意 图。 第42C图,系本发明之具半导体晶片之结构仰视示意 图。 第43A图,系本发明之连接部附于导电脚位及电镀接 点时之结构剖面示意图。 第43B图,系本发明之连接部附于导电脚位及电镀接 点时之结构俯视示意图。 第43C图,系本发明之连接部附于导电脚位及电镀接 点时之结构仰视示意图。 第44A图,系本发明之具密封层之结构剖面示意图。 第44B图,系本发明之具密封层之结构俯视示意图。 第44C图,系本发明之具密封层之结构仰视示意图。 第45A图,系本发明之模板覆盖于金属基板之结构剖 面示意图。 第45B图,系本发明之模板覆盖于金属基板之结构俯 视示意图。 第45C图,系本发明之模板覆盖于金属基板之结构仰 视示意图。 第46A图,系本发明之锡膏沈积于金属壁之结构剖面 示意图。 第46B图,系本发明之锡膏沈积于金属壁之结构俯视 示意图。 第46C图,系本发明之锡膏沈积于金属壁之结构仰视 示意图。 第47A图,系本发明之移去模板后之结构剖面示意图 。 第47B图,系本发明之移去模板后之结构俯视示意图 。 第47C图,系本发明之移去模板后之结构仰视示意图 。 第48A图,系本发明之锡膏形成焊接层后之结构剖面 示意图。 第48B图,系本发明之锡膏形成焊接层后之结构俯视 示意图。 第48C图,系本发明之锡膏形成焊接层后之结构仰视 示意图。 第49A图,系本发明之金属柱于金属基板上形成后之 结构剖面示意图。 第49B图,系本发明之金属柱于金属基板上形成后之 结构俯视示意图。 第49C图,系本发明之金属柱于金属基板上形成后之 结构仰视示意图。 第50A图,系本发明之绝缘封胶形成后之结构剖面示 意图。 第50B图,系本发明之绝缘封胶形成后之结构俯视示 意图。 第50C图,系本发明之绝缘封胶形成后之结构仰视示 意图。 第51A图,系本发明之部份绝缘封胶移除后之结构剖 面示意图。 第51B图,系本发明之部份绝缘封胶移除后之结构俯 视示意图。 第51C图,系本发明之部份绝缘封胶移除后之结构仰 视示意图。 第52A图,系本发明之锡球形成后之结构剖面示意图 。 第52B图,系本发明之锡球形成后之结构俯视示意图 。 第52C图,系本发明之锡球形成后之结构仰视示意图 。 第53A图,系本发明之焊接端形成后之结构剖面示意 图。 第53B图,系本发明之焊接端形成后之结构俯视示意 图。 第53C图,系本发明之焊接端形成后之结构仰视示意 图。 第54A图,系本发明之半导体晶片封装结构之结构剖 面示意图。 第54B图,系本发明之半导体晶片封装结构之结构俯 视示意图。 第54C图,系本发明之半导体晶片封装结构之结构仰 视示意图。 第55A图,系本发明之半导体晶片结构剖面示意图。 第55B图,系本发明之半导体晶片结构俯视示意图。 第55C图,系本发明之半导体晶片结构仰视示意图。 第56A图,系本发明之金属基板结构剖面示意图。 第56B图,系本发明之金属基板结构俯视示意图。 第56C图,系本发明之金属基板结构仰视示意图。 第57A图,系本发明之光阻层与金属基板结构剖面示 意图。 第57B图,系本发明之光阻层与金属基板结构俯视示 意图。 第57C图,系本发明之光阻层与金属基板结构仰视示 意图。 第58A图,系本发明之绕线附于金属基板时之结构剖 面示意图。 第58B图,系本发明之绕线附于金属基板时之结构俯 视示意图。 第58C图,系本发明之绕线附于金属基板时之结构仰 视示意图。 第59A图,系本发明之第三光阻层及第四光阻层剥落 后之结构剖面示意图。 第59B图,系本发明之第三光阻层及第四光阻层剥落 后之结构俯视示意图。 第59C图,系本发明之第三光阻层及第四光阻层剥落 后之结构仰视示意图。 第60A图,系本发明之焊接遮罩于金属基板及绕线时 之结构剖面示意图。 第60B图,系本发明之焊接遮罩于金属基板及绕线时 之结构俯视示意图。 第60C图,系本发明之焊接遮罩于金属基板及绕线时 之结构仰视示意图。 第61A图,系本发明之第五光阻层及第六光阻层形成 后之结构剖面示意图。 第61B图,系本发明之第五光阻层及第六光阻层形成 后之结构俯视示意图。 第61C图,系本发明之第五光阻层及第六光阻层形成 后之结构仰视示意图。 第62A图,系本发明之电镀接点形成于绕线后之结构 剖面示意图。 第62B图,系本发明之电镀接点形成于绕线后之结构 俯视示意图。 第62C图,系本发明之电镀接点形成于绕线后之结构 仰视示意图。 第63A图,系本发明之第五光阻层及第六光阻层剥落 后之结构剖面示意图。 第63B图,系本发明之第五光阻层及第六光阻层剥落 后之结构俯视示意图。 第63C图,系本发明之第五光阻层及第六光阻层剥落 后之结构仰视示意图。 第64A图,系本发明之黏着剂形成于焊接遮罩后之结 构剖面示意图。 第64B图,系本发明之黏着剂形成于焊接遮罩后之结 构俯视示意图。 第64C图,系及本发明之黏着剂形成于焊接遮罩后之 结构仰视示意图。 第65A图,系本发明之具半导体晶片之结构剖面示意 图。 第65B图,系本发明之具半导体晶片之结构俯视示意 图。 第65C图,系本发明之具半导体晶片之结构仰视示意 图。 第66A图,系本发明之连接部附于导电脚位及电镀接 点时之结构剖面示意图。 第66B图,系本发明之连接部附于导电脚位及电镀接 点时之结构俯视示意图。 第66C图,系本发明之连接部附于导电脚位及电镀接 点时之结构仰视示意图。 第67A图,系本发明之具密封层之结构剖面示意图。 第67B图,系本发明之具密封层之结构俯视示意图。 第67C图,系本发明之具密封层之结构仰视示意图。 第68A图,系本发明之第二光阻层形成于金属基板之 结构剖面示意图。 第68B图,系本发明之第二光阻层形成于金属基板之 结构俯视示意图。 第68C图,系本发明之第二光阻层形成于金属基板之 结构仰视示意图。 第69A图,系本发明之具凹口之结构剖面示意图。 第69B图,系本发明之具凹口之结构俯视示意图。 第69C图,系本发明之具凹口之结构仰视示意图。 第70A图,系本发明之具金属壁之结构剖面示意图。 第70B图,系本发明之具金属壁之结构俯视示意图。 第70C图,系本发明之具金属壁之结构仰视示意图。 第71A图,系本发明之模板覆盖于第二光阻层之结构 剖面示意图。 第71B图,系本发明之模板覆盖于第二光阻层之结构 俯视示意图。 第71C图,系本发明之模板覆盖于第二光阻层之结构 仰视示意图。 第72A图,系本发明之锡膏沈积于金属壁之结构剖面 示意图。 第72B图,系本发明之锡膏沈积于金属壁之结构俯视 示意图。 第72C图,系本发明之锡膏沈积于金属壁之结构仰视 示意图。 第73A图,系本发明之移去模板后之结构剖面示意图 。 第73B图,系本发明之移去模板后之结构俯视示意图 。 第73C图,系本发明之移去模板后之结构仰视示意图 。 第74A图,系本发明之锡膏形成焊接层后之结构剖面 示意图。 第74B图,系本发明之锡膏形成焊接层后之结构俯视 示意图。 第74C图,系本发明之锡膏形成焊接层后之结构仰视 示意图。 第75A图,系本发明之第二光阻层剥落后之结构剖面 示意图。 第75B图,系本发明之第二光阻层剥落后之结构俯视 示意图。 第75C图,系本发明之第二光阻层剥落后之结构仰视 示意图。 第76A图,系本发明之金属基板移除后之结构剖面示 意图。 第76B图,系本发明之金属基板移除后之结构俯视示 意图。 第76C图,系本发明之金属基板移除后之结构仰视示 意图。 第77A图,系本发明之绝缘封胶形成后之结构剖面示 意图。 第77B图,系本发明之绝缘封胶形成后之结构俯视示 意图。 第77C图,系本发明之绝缘封胶形成后之结构仰视示 意图。 第78A图,系本发明之部份绝缘封胶移除后之结构剖 面示意图。 第78B图,系本发明之部份绝缘封胶移除后之结构俯 视示意图。 第78C图,系本发明之部份绝缘封胶移除后之结构仰 视示意图。 第79A图,系本发明之锡球形成后之结构剖面示意图 。 第79B图,系本发明之锡球形成后之结构俯视示意图 。 第79C图,系本发明之锡球形成后之结构仰视示意图 。 第80A图,系本发明之焊接端形成后之结构剖面示意 图。 第80B图,系本发明之焊接端形成后之结构俯视示意 图。 第80C图,系本发明之焊接端形成后之结构仰视示意 图。 第81A图,系本发明之半导体晶片封装结构之结构剖 面示意图。 第81B图,系本发明之半导体晶片封装结构之结构俯 视示意图。 第81C图,系本发明之半导体晶片封装结构之结构仰 视示意图。 第82A图,系本发明之第四实施例之半导体晶片封装 结构剖面示意图。 第82B图,系本发明之第四实施例之半导体晶片封装 结构俯视示意图。 第82C图,系本发明之第四实施例之半导体晶片封装 结构仰视示意图。 第83A图,系本发明之第五实施例之半导体晶片封装 结构剖面示意图。 第83B图,系本发明之第五实施例之半导体晶片封装 结构俯视示意图。 第83C图,系本发明之第五实施例之半导体晶片封装 结构仰视示意图。 第84A图,系本发明之第六实施例之半导体晶片封装 结构剖面示意图。 第84B图,系本发明之第六实施例之半导体晶片封装 结构俯视示意图。 第84C图,系本发明之第六实施例之半导体晶片封装 结构仰视示意图。 第85A图,系本发明之第七实施例之半导体晶片封装 结构剖面示意图。 第85B图,系本发明之第七实施例之半导体晶片封装 结构俯视示意图。 第85C图,系本发明之第七实施例之半导体晶片封装 结构仰视示意图。 第86A图,系本发明之第八实施例之半导体晶片封装 结构剖面示意图。 第86B图,系本发明之第八实施例之半导体晶片封装 结构俯视示意图。 第86C图,系本发明之第八实施例之半导体晶片封装 结构仰视示意图。 第87A图,系本发明之第九实施例之半导体晶片封装 结构剖面示意图。 第87B图,系本发明之第九实施例之半导体晶片封装 结构俯视示意图。 第87C图,系本发明之第九实施例之半导体晶片封装 结构仰视示意图。 第88A图,系本发明之第十实施例之半导体晶片封装 结构剖面示意图。 第88B图,系本发明之第十实施例之半导体晶片封装 结构俯视示意图。 第88C图,系本发明之第十实施例之半导体晶片封装 结构仰视示意图。 第89A图,系本发明之第十一实施例之半导体晶片封 装结构剖面示意图。 第89B图,系本发明之第十一实施例之半导体晶片封 装结构俯视示意图。 第89C图,系本发明之第十一实施例之半导体晶片封 装结构仰视示意图。 第90A图,系本发明之第十二实施例之半导体晶片封 装结构剖面示意图。 第90B图,系本发明之第十二实施例之半导体晶片封 装结构俯视示意图。 第90C图,系本发明之第十二实施例之半导体晶片封 装结构仰视示意图。 第91A图,系本发明之第十三实施例之半导体晶片封 装结构剖面示意图。 第91B图,系本发明之第十三实施例之半导体晶片封 装结构俯视示意图。 第91C图,系本发明之第十三实施例之半导体晶片封 装结构仰视示意图。 第92A图,系本发明之第十四实施例之半导体晶片封 装结构剖面示意图。 第92B图,系本发明之第十四实施例之半导体晶片封 装结构俯视示意图。 第92C图,系本发明之第十四实施例之半导体晶片封 装结构仰视示意图。 第93A图,系本发明之第十五实施例之半导体晶片封 装结构剖面示意图。 第93B图,系本发明之第十五实施例之半导体晶片封 装结构俯视示意图。 第93C图,系本发明之第十五实施例之半导体晶片封 装结构仰视示意图。 第94图,系本发明之第十六实施例之金属柱结构示 意图。 第95图,系本发明之第十七实施例之金属柱结构示 意图。 第96图,系本发明之第十八实施例之金属柱结构示 意图。 第97图,系本发明之第十九实施例之金属柱结构示 意图。 第98图,系本发明之第二十实施例之金属柱结构示 意图。 |
