发明名称 极紫外光EUV用光阻组成物及光阻图型之形成方法RESIST COMPOSITION FOR EUV AND PROCESS FOR FORMING RESIST PATTERN
摘要 本发明之光阻组成物,为含有(Al)下述式(I)所示多元酚化合物(a)中之酚性羟基中一部份或全部被酸解离性溶解抑制基所保护之保护体,与(B)经由曝光产生酸之酸产生剂成份之EUV用光阻组成物。
申请公布号 TWI292085 申请公布日期 2008.01.01
申请号 TW094130565 申请日期 2005.09.06
申请人 东京应化工业股份有限公司 发明人 羽田英夫;平山拓;盐野大寿;渡边健夫;木下博雄
分类号 G03F7/039(200601120200601);C07C39/15(200601120200601);H01L21/027(200601120200601) 主分类号 G03F7/039(200601120200601)
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种EUV用光阻组成物,其特征为含有(A1)下述式(I) 所示多元酚化合物(a)中,酚性羟基之一部份或全部 被酸解离性溶解抑制基所保护之保护体,与相对于 保护体(A1)100质量份为0.5至30质量份之(B)经由曝光 产生酸之酸产生剂成份, [式(I)中,R11至R17各自独立为碳数1至10之烷基或芳 香族烃基,其结构中可含有杂原子;g、j各自独立为 1以上之整数,k、q为0或1以上之整数,且g+j+k+q为5以 下;h为1以上之整数,l、m各自独立为0或1以上之整 数,且h+l+m为4以下;i为1以上之整数,n、o各自独立为 0或1以上之整数,且i+n+o为4以下;p为0或1;X为下述式( Ia)或(Ib), (式(Ia)中,R18、R19各自独立为碳数1至10之烷基或芳 香族烃基,其结构中可含有杂原子;r、y、z各自独 立为0或1以上之整数,且r+y+z为4以下)所示之基]。 2.如申请专利范围第1项之EUV用光阻组成物,其中前 述多元酚化合物(a)之分子量为300至2500。 3.如申请专利范围第1或2项之EUV用光阻组成物,其 中前述多元酚化合物(a)之分子量之分散度为1.5以 下。 4.如申请专利范围第1或2项之EUV用光阻组成物,其 尚含有含氮有机化合物(D)。 5.一种光阻图型之形成方法,其特征为将申请专利 范围第1或2项之EUV用光阻组成物涂布于基板上,经 预烧培,使用EUV进行选择性曝光后,施以PEB(曝光后 加热),经硷显影而形成光阻图型。
地址 日本