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发明名称
制造至少一导电构造的方法及导电构造
摘要
一种制造至少一导电构造的方法,包含以下步骤:-准备一材料条带,该材料条带至少包含一个层厚度D的导电层,-将该至少一导电层冲孔,其中在该至少一导电层中形成一高度H的缝隙,与一个被导电层张设的面垂直,该缝隙在此平面中的走势决定该至少一导电构造的轮廓,其特征在:-该至少一缝隙设计成该缝隙的高度小于或等于该至少一导电层的层厚度D,且-然后将该至少一导电层蚀刻,使得该至少一导电层在该至少一缝隙的区域被切断,并使缝隙扩展。(图3)
申请公布号
TW200803657
申请公布日期
2008.01.01
申请号
TW096108104
申请日期
2007.03.09
申请人
良合库尔兹有限两合公司
发明人
海利西 维尔德
分类号
H05K3/04(2006.01)
主分类号
H05K3/04(2006.01)
代理机构
代理人
桂齐恒;阎启泰
主权项
地址
德国
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