降低矽化物接触与覆盖金属化之间之接触电阻之方法以及结构

摘要

本发明提供其中接触开口中之接触电阻得以降低的半导体结构以及形成该半导体结构之方法。此在本发明中藉由用一含金属锗化物之接触材料替代诸如钨或金属矽化物（诸如，Ni矽化物或Cu矽化物）之知接触治金达成。术语"含金属锗化物"在本申请案中用于指示纯金属锗化物（亦即，MGe合金）或包括Si之金属锗化物（亦即，MSiGe合金）。