| 摘要 |
本发明提供一种单晶片型磁感测器，其中薄膜非等向性磁阻组件形成在IC基板上。在磁感测器中，所施加的磁埸可以在垂直和水平方向被检测，检测灵敏度可以相对于所施加磁场的方向作调整，而且在另一磁场系自另一方向施加之条件下，对磁灵敏特性的影响可以被抑制。在磁感测器中，半导体基板67，导线支架60，导线支架61和62系被容纳在封装体66之中。薄膜磁阻组件11到14系形成在半导体基板67之上，而半导体基板67包含具有比较和放大功能之电路。导线支架60系用以将半导体基板67安装在其上。导线支架61和62被连接到半导体基板67。导线支架60具有一种结构，其中半导体固定表面系藉由弯曲导线支架60相对封装体表面倾斜，而半导体基板67系固定在半导体固定表面。 |
