在控制闸极边界上操作记忆装置之方法与结构

摘要

本发明之电荷捕捉记忆装置与方法，系利用边界诱发效应而增加一第二位元操作区间。此边界诱发效应发生于字元线底下的区域，使得当使用电洞注入法于一记忆装置时，电洞电荷系储存于电荷捕捉层中，电荷捕捉层系与一字元线正交，且电洞电荷系沿着字元线的边界储存。在一实施例中，一虚拟接地阵列包括一电荷捕捉层，其设置于二介电层之间，使得源极与汲极区域之上没有电荷捕捉层。施加电洞注入至此虚拟接地阵列之后，电洞电荷系沿着每一字元线的边界储存，因为字元线的边界与非边界部分相较之下，其电场较大。