发明名称 非挥发性单层复晶矽记忆体元件
摘要 一种非挥发性单层复晶矽记忆体元件,包含两个单位胞,其相对于对称中线互为镜像对称结构,其可提供较高的储存资料正确性(data correctness),且具有低电压操作及与逻辑制程完全相容之优点。
申请公布号 TW200802820 申请公布日期 2008.01.01
申请号 TW096103847 申请日期 2007.02.02
申请人 力旺电子股份有限公司 发明人 陈信铭;王世辰;何明洲;沈士杰
分类号 H01L27/115(2006.01) 主分类号 H01L27/115(2006.01)
代理机构 代理人 许锺迪
主权项
地址 新竹市科学工业园区力行一路12号3楼