单遮罩相转换记忆元素

摘要

本发明系揭露一种记忆元件。一记忆元素阵列，其系形成于一半导体晶片上。一字元线平行阵列，其系沿着一第一方向延伸、并将每一记忆元素连接至一资料来源；以及一位元线平行阵列，其系沿着一第二方向延伸、并将每一记忆元素连接至一资料来源，第二方向系与第一方向形成一锐角。每一位元线与每一记忆元素之间的连结系为一相转换元素，此相转换元素系由具有至少二固态相之记忆材料所形成。