发明名称 研磨装置及研磨方法
摘要 一种研磨装置,用于研磨及平面化例如半导体晶圆之基板,该基板上形成有例如铜(Cu)层或钨(W)层之导电膜。该研磨装置包含:研磨台(polishing table),具有研磨表面;马达,用于旋转该研磨台;顶环(topring),用于保持基板并将该基板压抵该研磨表面;膜厚度测量感测器,设置于该研磨台内用于扫描该基板之表面;以及计算装置,用于处理该膜厚度测量感测器之信号以计算该基板之膜厚度。
申请公布号 TW200801448 申请公布日期 2008.01.01
申请号 TW096111981 申请日期 2007.04.04
申请人 荏原制作所股份有限公司;东芝股份有限公司 发明人 多田光男;高桥太郎;新岛元博;大田真朗;重田厚
分类号 G01B7/06(2006.01) 主分类号 G01B7/06(2006.01)
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 日本