植氧分离(SIMOX)晶圆之制造方法

摘要

一种SIMOX（植氧分离）晶圆系经由将氧离子植入矽基底的表面并接着实施高温退火而制造，其中事先形成具有较目标SOI膜厚度厚之厚度之SOI膜，并于与清理步骤分开配置之蚀刻步骤实施该SOI膜厚度的最后调整。