使用带隙设计之SONOS元件的次闸AND架构的结构及其方法STRUCTURE AND METHOD OF SUB-GATE AND ARCHITECTURES EMPLOYING BANDGAP ENGINEERED SONOS DEVICES

摘要

一种带隙设计的SONOS元件结构，其用于具有各种AND架构的设计来执行源极侧注入程式化方法。BE－SONOS元件结构包含分隔氧化物，其安置在覆盖氧化物－氮化物－氧化物－氮化物－氧化物堆叠的控制闸极与覆盖闸极氧化物的次闸之间。在第一实施例中，BE－SONOS次闸AND阵列架构被构造成具有次闸线和扩散位元线的多列SONONOS元件。在第二实施例中，BE－SONOS次闸反转位元线AND架构被构造成具有次闸反转位元线但不具有扩散位元线的多列SONONOS元件。