| 摘要 |
本发明揭示一种电子装置（10）可具有位于一第一半导体层（16）与一基底层（12）之间的一绝缘层（14）。相较于该第一半导体层，具有一不同组成物与应力之一第二半导体层（22）可位于该第一半导体层之至少一部分上。于一项具体实施例中，一第一电子组件（52或54）可包括一第一作用区域，其包括该第一与该第二半导体层的一第一部分。一第二电子组件（58或56）可包括一第二作用区域，其可包括该第一半导体层之一第二部分。可运用不同的制程来形成该电子装置。于另一具体实施例中，可执行退火一工件并可改变该等半导体层中至少一者的应力。于一不同的具体实施例中，可在形成该第二半导体层之前或之后执行退火该工件。 |
