III族氮化物半导体发光装置及其制法

摘要

本发明揭示一种III族氮化物化合物半导体发光装置及其制法。该III族氮化物化合物半导体发光装置包含具有凹槽形成于其中之基板；生长于该基板上之复数个氮化物化合物半导体层，包含用来藉由再结合电子和电洞而产生光之主动层；以及形成在该凹槽上顺着该复数个氮化物化合物半导体层之开口。