具有用于NPN双极电晶体之改良基极存取电阻之方法及装置METHOD AND DEVICE WITH IMPROVED BASE ACCESS RESISTANCE FOR NPN BIPOLAR TRANSISTOR

摘要

本发明揭示由多个短射极组成之一组态仍共享共同DTI区域及一单一大片基极聚合物。此使得基极电流可在4个方向（例如2维）内流动，而非仅有两个方向。此显着减小电晶体之基极电阻，其对较佳NPN电晶体RF性能及高频杂讯性能至关重要。