P通道能隙工程矽氧氮氧矽〈BE-SONOS〉反及闸快闪记忆体之编程与抹除方法

摘要

本发明提供一 P 通道记忆元件的程式化方法。记忆元件包含一源极，一汲极和一闸极。施加一第一电压于闸极上导致富勒-诺丁汉（-FN）的电洞注入，因此使记忆单元进入一程式化状态。