III-N层上罩覆材料之形成方法和至少部份罩覆III-N层之成长方法以及无支撑III-N层之制造方法及其半导体装置PROCESS FOR SELECTIVE MASKING OF III-N LAYERS AND FOR THE PREPARATION OF FREE-STANDING III-N LAYERS OR OF DEVICES, AND PRODUCTS OBTAINED THEREBY

摘要

在Ⅲ-N层上罩覆材料之形成方法中（其中Ⅲ指元素周期表第三族元素选自A1、Ga和In），提供具有表面之Ⅲ-N层，包括一以上之刻面。罩覆材料系选择性只沉积在一刻面或许多刻面，但非全部刻面上。罩覆材料之沉积是特别在Ⅲ-N层之磊晶成长当中，于成长状况下进行，藉此（i）至少又一Ⅲ－N层选择性在第一类或第一组刻面上成长，而（ii）罩覆材料之沉积系选择性在第二类或第二组刻面上进行。利用本发明制法，可制成无支撑厚Ⅲ-N层。再者，可制成具有特殊结构和层之半导体装置或组件。