磊晶薄膜生长装置中之沉积调整方法及系统

摘要

一种计算用以在基材上沉积磊晶层（epitaxial layer）所需之制程参数的方法。该方法包括的步骤有：测取制程参数位磊晶层厚度之效应以决定该制程参数的增益曲线，并使用该增益曲线计算出要达成该磊晶层的目标厚度所需的制程参数值。此求得数值可使层的目标厚度之偏差值达到最小。同时，其包含的基材处理系统系包括一个处理器，用以计算要达成在基材上形成具有实质均匀目标厚度之磊晶层所需的制成参数值，其中该数值系使用以层均一性测量值对制程参数值作图所产生的增益曲线计算出。