在半导体处理中提供遮罩的方法及设备

摘要

揭示一种处理用于制造半导体装置之双层遮罩的方法，藉此可控制被制造有该遮罩的半导体装置之临界尺寸（CD）。在形成碳遮罩层（以藉由旋涂制程为佳）和该碳遮罩上之含有矽的光阻层后，两步骤之制程系在该碳遮罩层中形成开口，如后续的装置制造所需。将该结构置于电浆处理室中，并采用氧电浆来部份蚀刻碳层。氧电浆会与光阻中的矽反应，以在光阻的表面上形成硬氧化矽层，然后采用氢电浆来完成穿过具有缩减之临界尺寸的碳层之蚀刻。