于半导体装置制造精细图案之方法

摘要

一种于半导体装置制造精细图案的方法，该方法包括在蚀刻目标层上形成第一聚合物层和第二聚合物层，以第一基板温度图案化该第二聚合物层。使用不包括氧（O2）的蚀刻气体以第二基板温度蚀刻该第一聚合物层。使用该已图案化之第二聚合物层作为蚀刻遮罩来 蚀刻该第一聚合物层，然后使用该已蚀刻之第一聚合物层及该已蚀刻之第二聚合物层作为蚀刻遮罩来蚀刻该蚀刻目标层。