使用单晶自对准二极体之磁性随机存取记忆体

摘要

磁性随机存取记忆体（ＭＲＡＭ）记忆胞包含ＭＲＡＭ元件以及单晶自对准二极体。ＭＲＡＭ元件与单晶自对准二极体经由接触窗而连接。在ＭＲＡＭ元件上方仅定位一个金属线。定位于邻近接触窗之相对侧壁之处的第一间隙壁以及第二间隙壁定义了单晶自对准二极体之大小。第一金属矽化物线以及第二金属矽化物线分别定位于邻近第一间隙壁以及第二间隙壁之处。定义于矽基底中之单晶自对准二极体包括底部植入（BI）区域以及接触植入（ＣＩ）区域。ＣＩ区域为ＢＩ区域所包围，除了ＣＩ区域之与矽基底之表面对准的侧边以外。亦揭露ＭＲＡＭ记忆胞之制造方法、读取方法以及程式化方法。