以HDP-CVD作间隙充填的新颖集积式制程模组INTEGRATED PROCESS MODULATION (IPM) A NOVEL SOLUTION FOR GAPFILL WITH HDP-CVD

摘要

本发明公开了一种用于在设置于制程腔室内之一基材上沈积氧化矽薄膜的制程。将包括卤素源、流动气体、矽源和氧化气体的制程气体流入制程腔室中。具有离子密度至少为1011离子／立方公分的电浆系由上述制程气体形成。在基材上沈积具有卤素浓度低于1.0%的氧化矽薄膜。利用时具有沈积和溅镀成分之制程的电浆沈积氧化矽薄膜。进入腔室的卤素源的流速和进入腔室的矽源流速之比大致介于0.5和3.0之间。