用以形成含矽膜之连续沈积制程

摘要

一种连续沈积处理中形成Si膜之方法。该方法包含：提供该基板至一处理室中；藉着将该基板暴露至一氯化之矽烷气体来沈积一含氯Si膜；及乾蚀刻该含氯Si膜以减少该Si膜之氯含量。可以选择性或非选择之沈积将该Si膜沈积至该基板上，而该沈积可为自我限制性或非自我限制性。其他实施例提供一种在连续沈积处理中形成SiGe膜的方法。