发明名称 绝缘膜之损坏修复方法
摘要 本发明系提供一种绝缘膜之损坏修复方法,其系在因电浆处理而受到损坏之绝缘膜进行修复处理时,于铜配线层等之配线材料上不会残留修复剂,且可适应于乾式制程之量产性优之方法。本发明系使因电浆处理而受到损坏之绝缘膜,与由具有硝基、羰基之中至少一种以上以及烃基或氢基之1种以上的分子构造之化合物所构成之修复剂接触。
申请公布号 TW200802601 申请公布日期 2008.01.01
申请号 TW096113590 申请日期 2007.04.18
申请人 大阳日酸股份有限公司 发明人 永野修次;羽智;井上实;柴田俊格
分类号 H01L21/3105(2006.01) 主分类号 H01L21/3105(2006.01)
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 日本