发明名称 稳定极化的垂直腔面射型雷射及其制法
摘要 本发明系有关一种稳定极化的垂直腔面射型雷射(VCSEL),尤指一种利用非常简单的制程,产生一种具有稳定极化操作的单模态垂直腔面射型雷射,此种雷射是在一般的面射型雷射上晶片结构的镜面上,利用加入一个杂质诱发混乱层(Impurity-induced Disordering Layer)所形成的非对称发光窗口,此非对称性窗口会对雷射共振腔的两个晶轴方向产生不同程度的光损失(optical loss),再加上在(001)基板上所磊晶的面射型雷射结构在两个晶轴上些微的材料增益(material gain),如此可以加大两个晶轴上的光损失的差异性,因此可产生稳定极化操作的单模态垂直腔面射型雷射。
申请公布号 TW200803094 申请公布日期 2008.01.01
申请号 TW095119529 申请日期 2006.06.02
申请人 华上光电股份有限公司 发明人 陈志诚
分类号 H01S5/183(2006.01) 主分类号 H01S5/183(2006.01)
代理机构 代理人
主权项
地址 桃园县大溪镇仁和路2段349号7楼