| 发明名称 |
Method of producing hyperpure silicon, silicon carbide and germanium |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US3099523(A) |
申请公布日期 |
1963.07.30 |
| 申请号 |
US19610159717 |
申请日期 |
1961.12.15 |
| 申请人 |
SIEMENS-SCHUCKERTWERKE AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
REUSCHEL KONRAD;KERSTING ARNO |
| 分类号 |
C01B31/36;C01B33/035;C22B41/00;C23C8/00;C23C16/46;H01L21/00 |
主分类号 |
C01B31/36 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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