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发明名称 Verfahren zur Herstellung eines vertikalen MOS-Halbleiterbauelementes mit dünner Dielektrikumsschicht und tiefreichenden vertikalen Abschnitten
摘要
申请公布号 DE102005046711(B4) 申请公布日期 2007.12.27
申请号 DE200510046711 申请日期 2005.09.29
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG 发明人 RUEB, MICHAEL;SCHAEFER, HERBERT;WILLMEROTH, ARMIN;MAUDER, ANTON;SCHULZE, HANS-JOACHIM;SEDLMAIER, STEFAN;PFIRSCH, FRANK;HIRLER, FRANZ;PIPPAN, MANFRED;WEBER, HANS;RUPP, ROLAND
分类号 H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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