| 发明名称 |
Verfahren zum Herstellen einer Wortleitung eines Speicherbausteins und Verwendung des Verfahrens zur Herstellung eines FIN-FET Transistors |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE102004023985(B4) |
申请公布日期 |
2007.12.27 |
| 申请号 |
DE200410023985 |
申请日期 |
2004.05.14 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
TEGEN, STEFAN;MUEMMLER, KLAUS |
| 分类号 |
H01L21/8242;G11C8/14;H01L21/768;H01L27/108 |
主分类号 |
H01L21/8242 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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