发明名称 Method of Plasma Etching Transition Metal Oxides
摘要 A method of plasma etching transition metal oxide thin films using carbon monoxide as the primary source gas. This permits carbonyl chemistries to be used at ambient temperature, without heating.
申请公布号 US2007295690(A1) 申请公布日期 2007.12.27
申请号 US20070681022 申请日期 2007.03.01
申请人 SANDISK CORP. 发明人 REGHURAM USHA;KONEVECKI MICHAEL W.
分类号 C23F1/00 主分类号 C23F1/00
代理机构 代理人
主权项
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