Wafer-Träger-Anordnung, Schichtverbund zur Verwendung bei der Herstellung einer solchen Wafer-Träger-Anordnung sowie entsprechende Verfahren und Verwendungen

摘要

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Wafer-Träger-Anordnung, umfassend: - einen Wafer (8), - eine Trägerschicht (4, 6) und - eine Trennschicht (2), die zwischen der Trägerschicht (4, 6) und dem Wafer (8) angeordnet ist, wobei die Trennschicht (2) (i) eine plasmapolymere Schicht (2) ist oder neben einer oder mehreren weiteren Schichten eine an die Trägerschicht angrenzende plasmapolymere Schicht (2) umfasst und (ii) an dem Wafer (8) haftet und an der Trägerschicht (4, 6) fester haftet als an dem Wafer, wobei die plasmapolymere Schicht (2) eine Schicht ist, bestehend aus Kohlenstoff, Silicium, Sauerstoff und Wasserstoff sowie gegebenenfalls üblichen Verunreinigungen, wobei im ESCA-Spektrum der plasmapolymeren Schicht (2), bei Kalibrierung auf den aliphatischen Anteil des C 1s Peaks bei 285,00 eV, im Vergleich mit einem trimethylsiloxy-terminierten Polydimethylsiloxan (PDMS) mit einer kinematischen Viskosität von 350 mm²/s bei 25°C und einer Dichte von 0,97 g/mL bei 25°C, der Si 2p Peak einen Bindungsenergiewert besitzt, der um maximal 0,44 eV zu höheren oder niedrigeren Bindungsenergien verschoben ist, und der 0 1s Peak einen Bindungsenergiewert besitzt, der um maximal 0,50 eV zu höheren oder niedrigeren Bindungsenergien verschoben ist.