| 发明名称 | 隧道氧化膜的氮化处理方法、非易失性存储元件的制造方法和非易失性存储元件，以及控制程序和计算机可读取的存储介质 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种隧道氧化膜的氮化处理方法，其对非易失性存储元件中的隧道氧化膜实施氮化处理时，用含有氮气的处理气体实施等离子体处理，由此在隧道氧化膜表面部分形成氮化区域。 | ||
| 申请公布号 | CN101095224A | 申请公布日期 | 2007.12.26 |
| 申请号 | CN200580045366.X | 申请日期 | 2005.12.22 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 盐泽俊彦;古井真悟;小林岳志;北川淳一 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01);H01L21/318(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L29/788(2006.01);H01L29/792(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种隧道氧化膜的氮化处理方法，其特征在于，具有：准备形成有用于形成非易失性存储元件的隧道氧化膜的基板的工序，和使用含有氮气的处理气体进行等离子体处理，由此在所述隧道氧化膜的表面部分形成氮化区域的工序。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||