发明名称 |
聚合物的表面亚微米二维布拉维点阵和链阵列制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种聚合物表面亚微米二维布拉维点阵、链阵列制备方法,属于纳米/微米微结构材料及其制备技术。本发明所指聚合物表面亚微米二维布拉维点阵、链阵列的聚合物为聚烯、聚酯、聚酰胺等具有明显力学屈服行为的高聚物;二维布拉维点阵包括所有二维基本布拉维格子,即六方、四方、长方、菱形、斜方。制备方法采用压模-拉伸法,即首先利用胶体晶体模板结合热处理技术制备亚微米印模;经过热压脱模,制备亚微米六方点阵;然后通过可控拉伸,制备六方、四方、菱形、长方、斜方等点阵结构以及链等表面微结构。本发明具有可制备所有类型二维基本布拉维格子;点阵参数宽范围精确可调;适用聚合物材料范围广;低成本;易操作,无需复杂设备与技术;可大批量快速生产等特点。 |
申请公布号 |
CN100357092C |
申请公布日期 |
2007.12.26 |
申请号 |
CN200510094917.3 |
申请日期 |
2005.10.20 |
申请人 |
南京大学 |
发明人 |
王振林;祝名伟;闵乃本 |
分类号 |
B29D11/00(2006.01);B29C71/02(2006.01);B29K69/00(2006.01);B29K77/00(2006.01);B29K59/00(2006.01);B29K61/00(2006.01);B29K23/00(2006.01);B29K67/00(2006.01) |
主分类号 |
B29D11/00(2006.01) |
代理机构 |
南京苏高专利事务所 |
代理人 |
柏尚春 |
主权项 |
1、一种聚合物的表面亚微米二维布拉维点阵和链阵列制备方法,其特征在于该方法包括以下步骤:(1)通过自组装技术在聚合物表面排列亚微米/微米SiO2微球,获得大面积高度有序的二维单层微球阵列,然后在恒温箱中热处理,最后用HF酸腐蚀去除SiO2微球获得聚合物印模;(2)利用上述聚合物印模在另一聚合物薄膜表面压印,放入恒温箱经过热处理后脱模,将步骤(1)所得聚合物印模的表面微结构复制到另一聚合物薄膜表面;(3)调控另一聚合物的拉伸率和拉伸方向,实现该聚合物的微观非均匀延伸,形成各种六方、或四方、或菱形、或长方、或斜方等点阵或链阵结构表面微结构。 |
地址 |
210093江苏省南京市汉口路22号 |