| 发明名称 | MIS半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及采用低温工艺制造高可靠性的MIS半导体器件。公开了一种制造MIS半导体器件的方法，其中，在半导体基片或者半导体薄膜中有选择地形成掺杂区，于是采取预防措施，以便激光或者相当的高强度光能照射到掺杂区和其相邻的有源区之间的边界，并且从上面照射激光或者相当的高光强的光，而达到激活的效果。 | ||
| 申请公布号 | CN100358143C | 申请公布日期 | 2007.12.26 |
| 申请号 | CN99108890.5 | 申请日期 | 1994.01.18 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;竹村保彦 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张志醒 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：一个薄膜晶体管，形成在一基片上，该薄膜晶体管包含结晶半导体层，其中有一个沟道形成区，沟道形成区上形成有栅绝缘膜，沟道形成区上还有栅电极，其间插有所述栅绝缘膜；第一电极，由基片上形成的一种金属构成；阳极氧化膜，形成在所述第一电极表面上，该阳极氧化膜由所述金属的氧化物构成；以及第二电极，形成在所述阳极氧化膜上，从而在所述第一电极与第二电极之间形成电容器。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||