| 发明名称 | 磁随机存取存储器 | ||
| 摘要 | 提供一种磁随机存取存储器。将MTJ元件在半导体衬底上边叠置成多层。MTJ元件的固定层上，连接有起读出线功能沿X方向延伸的第1导电线。MTJ元件的自由层上，连接有起写入线和读出线功能沿X方向延伸的第2导电线。写入线沿Y方向延伸，并为在其上下存在的两个MTJ元件所共用。在写入线上下存在的两个MTJ元件，相对于其写入线对称地进行配置。 | ||
| 申请公布号 | CN100358047C | 申请公布日期 | 2007.12.26 |
| 申请号 | CN02151849.1 | 申请日期 | 2002.11.29 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 梶山健 |
| 分类号 | G11C11/15(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | G11C11/15(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种磁随机存取存储器，包括：具有叠置成多层的多个MTJ元件的阵列；配置于该阵列内的第1导电线；以及配置在该阵列内，具有与该第1导电线同样功能，且配置于该第1导电线上边的第2导电线，其特征在于：该第1和第2导电线是串联连接的。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||