| 发明名称 | 包括在柱子底下延伸的源区/漏区的场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 场效应晶体管包括衬底和远离衬底延伸的柱子。该柱子包括邻近衬底的基体、远离衬底的顶部以及在基体和顶部之间延伸的侧壁。在该侧壁上设置绝缘栅。在柱子底下并邻近绝缘栅的衬底中设置第一源区/漏区。在柱子底下并远离绝缘栅的衬底中设置第二源区/漏区，与第一源区/漏区相比，第二源区/漏区被重掺杂。该柱子可以是基体和顶部之间的中间部分与相邻基体和顶部相比更窄的I－形柱子，以便该侧壁包括基体和顶部之间的凹陷中间部分。 | ||
| 申请公布号 | CN101093855A | 申请公布日期 | 2007.12.26 |
| 申请号 | CN200710112138.0 | 申请日期 | 2007.06.19 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 孙英雄;尹在万;金奉秀;徐亨源 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L29/06(2006.01);H01L27/088(2006.01);H01L21/8234(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/265(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 黄启行;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种场效应晶体管，包括：衬底；远离衬底延伸的柱子，该柱子包括邻近衬底的基体、远离衬底的顶部以及在基体和顶部之间延伸的侧壁；该侧壁上的绝缘栅；在柱子底下并邻近绝缘栅的衬底中的第一源区/漏区；以及在柱子底下并远离绝缘栅的衬底中的第二源区/漏区，与第一源区/漏区相比，该第二源区/漏区被重掺杂。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 | ||