半导体发光元件及其制造方法、使用此的发光装置

摘要

本发明涉及一种氮化物半导体发光元件，在基板上具有由n型半导体层、活性层及p型半导体层层叠而成的叠层部，由该叠层部进行发光，其中，叠层部的侧面是包含n型半导体层的表面的倾斜面，在该n型半导体层的表面形成有n电极。根据这样的元件结构，能够提高发光效率与光的射出效率。

主权项

1.一种氮化物半导体发光元件，其具有在基板上层叠n型半导体层、活性层及p型半导体层而成的叠层部，由该叠层部进行发光，其特征在于：在上述基板上，相互分开的、成为发光区域的上述叠层部设置有多个，该叠层部的侧面分别是包含上述n型半导体层的表面的倾斜面，在该n型半导体层的表面上形成有n电极，该n电极将相邻的上述叠层部彼此连接起来。