半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供能提高开关特性的半导体器件及其制造方法。纵式MOSFET，在漏区(21)上形成基区(22)，在该基区中形成源区(23)。形成沟槽(24)，其从上述源区的表面贯穿该基区，深度至少到达漏区的附近。在沟槽的侧壁和底部形成栅绝缘膜(25)，栅电极(26)的至少一部分形成在沟槽内。上述基区的杂质浓度分布具有源区与基区的界面附近的第1峰值、及在基区与漏区的界面附近且低于上述第1峰值的第2峰值；由上述第1峰值决定阈值电压，由上述第2峰值决定基区的掺杂量。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第1导电型的第1半导体层；第2导电型的第2半导体层，形成在上述第1半导体层上；第1导电型的第3半导体层，形成在上述第2半导体层中，与上述第1半导体层电分离；沟槽，从上述第3半导体层的表面贯通上述第3半导体层，深度至少到达上述第1半导体层的附近；第1绝缘膜，形成在上述沟槽的侧壁和底部；第1电极，至少一部分形成在上述沟槽内的上述第1绝缘膜上，与上述第1至第3半导体层电分离，上述第2半导体层的沿着上述沟槽的侧面的杂质浓度的分布具有上述第3半导体层与上述第2半导体层的界面附近的第1峰值、及在上述第2半导体层与上述第1半导体层的界面附近且低于上述第1峰值的第2峰值。