发明名称 碳纳米管膜的生长装置及方法
摘要 本发明涉及一种碳纳米管膜的生长装置,其包括一反应室及一基底,该基底呈弯曲状设置于反应室内。本发明同时提供一种利用上述装置生长碳纳米管膜的方法。本发明所提供的碳纳米管膜的生长技术,与现有技术相比,采用弯曲状基底作为碳纳米管膜生长的载体,使得一定容量空间的反应室内可容纳更大面积的基底,从而实现碳纳米管膜在较小反应室内的大面积生长,这样可降低大面积的制备碳纳米管膜所需设备的成本。
申请公布号 CN101092234A 申请公布日期 2007.12.26
申请号 CN200610061239.5 申请日期 2006.06.21
申请人 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 发明人 刘长洪;范守善
分类号 B82B3/00(2006.01) 主分类号 B82B3/00(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1.一种碳纳米管膜的生长装置,其包括一反应室,一基底设置于该反应室内,其特征在于,该基底呈弯曲状设置于反应室内。
地址 100084北京市海淀区清华大学物理系