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发明名称
碳纳米管膜的生长装置及方法
摘要
本发明涉及一种碳纳米管膜的生长装置,其包括一反应室及一基底,该基底呈弯曲状设置于反应室内。本发明同时提供一种利用上述装置生长碳纳米管膜的方法。本发明所提供的碳纳米管膜的生长技术,与现有技术相比,采用弯曲状基底作为碳纳米管膜生长的载体,使得一定容量空间的反应室内可容纳更大面积的基底,从而实现碳纳米管膜在较小反应室内的大面积生长,这样可降低大面积的制备碳纳米管膜所需设备的成本。
申请公布号
CN101092234A
申请公布日期
2007.12.26
申请号
CN200610061239.5
申请日期
2006.06.21
申请人
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
发明人
刘长洪;范守善
分类号
B82B3/00(2006.01)
主分类号
B82B3/00(2006.01)
代理机构
代理人
主权项
1.一种碳纳米管膜的生长装置,其包括一反应室,一基底设置于该反应室内,其特征在于,该基底呈弯曲状设置于反应室内。
地址
100084北京市海淀区清华大学物理系
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