发明名称 |
掺铈焦硅酸镥亚微米成像荧光屏的制备方法 |
摘要 |
一种掺铈焦硅酸镥亚微米成像荧光屏的制备方法,其特征在于该成像荧光屏的结构表达式为:(Ce<SUB>x</SUB>Re<SUB>y</SUB>Lu<SUB>1-x-y</SUB>)<SUB>2</SUB>Si<SUB>2</SUB>O<SUB>7</SUB>/(Lu<SUB>1-y</SUB>Re<SUB>y</SUB>)<SUB>2</SUB>Si<SUB>2</SUB>O<SUB>7</SUB>,它是在晶面方向为(010)、(100)或(001)的(Lu<SUB>1-y</SUB>Re<SUB>y</SUB>)<SUB>2</SUB>Si<SUB>2</SUB>O<SUB>7</SUB>,衬底上通过溶胶凝胶法生长一层(Ce<SUB>x</SUB>Re<SUB>y</SUB>Lu<SUB>1-x-y</SUB>)<SUB>2</SUB>Si<SUB>2</SUB>O<SUB>7</SUB>闪烁薄膜构成的透明荧光屏,其中0.001≤x≤0.01,0≤y≤0.3。本发明的荧光屏与在先技术中荧光屏相比较,具有较高的X射线吸收系数和较高的分辨率;衬底采用与闪烁单晶薄膜之间不存在失配问题,单晶薄膜质量高,荧光屏的光学性质好。因此,采用本发明的闪烁荧光屏可以广泛应用于各种显微X射线成像应用领域中。 |
申请公布号 |
CN100358076C |
申请公布日期 |
2007.12.26 |
申请号 |
CN200410053440.X |
申请日期 |
2004.08.04 |
申请人 |
中国科学院上海光学精密机械研究所 |
发明人 |
赵广军;严成锋;徐军;庞辉勇;介明印;何晓明;夏长泰 |
分类号 |
H01J9/20(2006.01) |
主分类号 |
H01J9/20(2006.01) |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 |
代理人 |
张泽纯 |
主权项 |
1、一种掺铈焦硅酸镥亚微米成像荧光屏的制备方法,其特征在于该成像荧光屏的结构表达式为:(CexReyLu1-x-y)2Si2O7/(Lu1-yRey)2Si2O7,它是在晶面方向为(010)、(100)或(001)的(Lu1-yRey)2Si2O7衬底上通过溶胶凝胶法生长一层(CexReyLu1-x-y)2Si2O7闪烁薄膜构成的透明荧光屏,其中0.001≤x≤0.01,0≤y≤0.3,Re代表除Lu以外的其它稀土元素。 |
地址 |
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