| 发明名称 | 半导体掺杂方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体掺杂方法，是于一扩散炉内将铂或金掺杂到半导体晶片中，步骤包括有：形成铂或金于半导体晶片上；加热该扩散炉，让该扩散炉内半导体晶片上的铂或金进行扩散作用，以使铂或金原子掺杂进入到该半导体晶片中；及加入氢气到该扩散炉中，用以避免铂或金原子聚集于该半导体晶片的微缺陷处。本发明避免半导体晶片中微缺陷造成的铂或金原子聚集现象，使得半导体掺杂方法可以稳定，并改善半导体的逆向特性，提高产品的制造合格率。 | ||
| 申请公布号 | CN100358113C | 申请公布日期 | 2007.12.26 |
| 申请号 | CN200410090382.8 | 申请日期 | 2004.11.12 |
| 申请人 | 敦南科技股份有限公司 | 发明人 | 黄启敬;曾清秋 |
| 分类号 | H01L21/225(2006.01);H01L21/385(2006.01) | 主分类号 | H01L21/225(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 董惠石 |
| 主权项 | 1.一种半导体掺杂方法，是于一扩散炉内将铂或金掺杂到半导体晶片中，步骤包括有：形成铂或金于半导体晶片上；加热该扩散炉，让该扩散炉内半导体晶片上的铂或金进行扩散作用，以使铂或金原子掺杂进入到该半导体晶片中；及加入氢气到该扩散炉中，用以避免铂或金原子聚集于该半导体晶片的微缺陷处。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||